新型二维异质结非易失性光电存储器件：构筑、性能与前景.docxVIP

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2025-12-06 发布于上海
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新型二维异质结非易失性光电存储器件：构筑、性能与前景.docx

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新型二维异质结非易失性光电存储器件：构筑、性能与前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息爆炸的时代，信息存储技术作为现代信息技术的关键组成部分，正面临着前所未有的挑战与机遇。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的迅猛发展，对信息存储器件的性能提出了更高的要求，包括更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗以及更好的稳定性和耐久性等。传统的信息存储技术，如基于硅基半导体的闪存（FlashMemory）等，虽然在过去几十年中取得了巨大的成功，并广泛应用于各种电子设备中，但随着器件尺寸逐渐逼近物理极限，其进一步提升性能的难度越来越大，且在应对一些新兴应用场景时，暴露出诸多局限性。

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