新型二维半导体及异质结：制备、性能与偏振特性的深度剖析.docxVIP

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2025-12-08 发布于上海
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新型二维半导体及异质结：制备、性能与偏振特性的深度剖析.docx

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新型二维半导体及异质结：制备、性能与偏振特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体材料作为现代电子学的基础，其性能的提升对于推动电子器件的小型化、高性能化和多功能化至关重要。传统的硅基半导体在过去几十年中取得了巨大的成功，然而，随着器件尺寸不断缩小，硅基半导体逐渐面临物理极限和性能瓶颈，如量子隧穿效应导致的漏电流增加、功耗上升以及散热困难等问题，严重制约了其进一步发展。

二维半导体材料因其独特的原子级厚度、高载流子迁移率、优异的光学和电学性能以及与现有半导体工艺的兼容性等优势，成为了有望取代硅基半导体的新一代材料。这些材料展现出与传统三维材料截然不同的物理