MOCVD技术制备InGaN_GaN薄膜及其光电特性的深度剖析与优化策略.docx

MOCVD技术制备InGaN/GaN薄膜及其光电特性的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，半导体材料的发展推动着各类光电器件不断革新。其中，InGaN/GaN薄膜以其独特的物理性质，成为该领域研究的热点之一。InGaN/GaN薄膜是由InN和GaN组成的固溶体，通过改变InN和GaN的比例，可以使InGaN的带隙在0.7-3.4eV范围内连续变化，这种宽带隙的可调节性使其在光电子器件中展现出巨大的应用潜力。

在发光二极管（LED）领域，InGaN/GaN薄膜是制造蓝光、绿光甚至通过多量子阱结构实现白光LED的关键材料。传