深亚微米SOI器件薄栅氧化层损伤机理与防护策略探究.docx

深亚微米SOI器件薄栅氧化层损伤机理与防护策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代集成电路领域，随着电子产品不断向小型化、高性能化和低功耗化发展，对集成电路的性能和集成度提出了更高要求。深亚微米SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）器件因其独特的结构和优异的性能，在集成电路中占据着举足轻重的地位。与传统体硅器件相比，SOI器件具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等显著优势，这些优势使得SOI技术成为实现深亚微米乃至纳米级集成电路的关键技术之一，有望成为未来集成电路的主流技术。

在深亚微米SOI器件中