超势垒整流器SBR工作原理.docxVIP

STYLEREF标题1超势垒整流器SBR工作原理

PAGE

PAGE1

超势垒整流器SBR工作原理

超势垒整流器（SBR）是一种新型的二极管，其工作原理结合了传统PN结二极管和肖特基二极管的优点，实现了低正向导通电压、小漏电流和高反向击穿电压。SBR通过在其结构中引入一个特殊的势垒沟道来实现这些优越性能。

SBR的核心在于其独特的结构设计。如图所示，SBR主要包括一个衬底、一个外延层、一个沟槽、一个栅电极、一个掺杂区和一个本体区。沟槽的内侧壁分为两部分，上部的第一部分设有较薄的栅介质层，而下部的第二部分和底部则设有较厚的栅介质层。这种结构使得SBR在正向偏置和反向偏置时表现出不同的电学特性。

在正向偏置时，SBR的阳极和阴极之间的电压使得势垒沟道中的少子（电子或空穴）被吸引到栅电极附近。由于栅介质层的存在，这些少子会被阻挡在栅电极附近，形成一个“超势垒”。这个超势垒的作用是降低正向导通电压，使得SBR在较低的电压下就能导通。与此同时，由于栅电极和掺杂区之间的距离较近，少子能够迅速穿过势垒沟道，从而减小了正向导通电阻（RDSON）。

在反向偏置时，SBR的阳极和阴极之间的电压使得势垒沟道中的少子被推向本体区。由于本体区的掺杂浓度较低，少子在本体区的移动速度较慢，从而形成了一个较高的反向阻断电压（BV）。此外，由于栅介质层的存在，少子在反向偏置时很难穿过势垒沟道，从而减小了漏电流。

SBR的这种结构设计使得其在正向导通和反向阻断时都能表现出优异的电学特性。具体来说，SBR的正向导通电压可以低至0.3V，反向漏电流可以小至10-6A，反向击穿电压可以高达300V。这些特性使得SBR在许多高功率应用中具有显著的优势。

总的来说，超势垒整流器（SBR）通过其独特的结构设计，实现了低正向导通电压、小漏电流和高反向击穿电压的优异性能。SBR的工作原理体现了其在功率半导体器件中的重要地位，使其在电源管理、汽车电子、工业控制等领域具有广泛的应用前景。