InGaAsN的MBE外延生长技术及太阳能电池.pptxVIP

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2025-12-12 发布于湖北
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InGaAsN的MBE外延生长技术及太阳能电池.pptx

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InGaAsN的MBE外延生长技术及太阳能电池制作李景灵林云昊周仕忠2012.11.12

背景InGaP/InGaAs/Ge三结太阳能电池技术已成熟；提出基于GaAs体系InGaP/GaAs/x/Ge四结电池材料；①新材料的禁带宽度要求：0.95~1.05eV；②InGaAsN材料禁带宽度可在上述范围调整因此：X=InGaAsN已知该四结太阳能电池效率值已达43%

InGaAsN的MBE生长技术关键技术：N的复合，使得器件的光学和电学性能下降；高质量的InGaAsN薄膜，是从减少N元素对其性能的影响着手的。 ∴一般InGaAsN太阳能电池薄膜中N含量不超过2%③

InGaAsN薄膜优化生长生长温度要低：多数MBE生长方式均在430-500℃；④后退火工艺⑤

低温生长低温生长可以降低受主浓度（降低N对薄膜的消极影响）⑤Acceptorconcentration（measuredbyCV）vssubstratetemperatureforGaInNAsepilayersandsolarcells.Ageneraltrendofdecreasingacceptorconcentrationwithdecreasingsubstratetemperatureisobserved

后退火工艺可改善晶体质量，提高外量子效率①可减少N对薄膜的消极影响，明显提高短路电流密度；J-VcharacteristicsoftheInGaAsNDHJSCsunderAM1.5Gilluminationwithoutandwithpost-thermalannealingComparisonofthequantumefficiencyoftheInGaAsNDHJSCswithoutandwithpost-thermalannealing

太阳能电池制作工艺利用晶片键合的方法,将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成,充分利用Ge电池,既直接作为四结电池的底电池,又作为支撑衬底,实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池⑥

太阳能电池制作工艺亮点：引入Sb：降低bandgap，提高latticeconstant于rf-plasmanitrogensources前方安装偏移盘(Biaseddeflectionplates)

太阳能电池制作工艺

太阳能电池制作工艺Sample1：GaInNAs(withouttheuseofdeflectionplates)Sample2：GaInNAs(DP)(grownusingdeflectionplates)Sample3：GaInNAsSb(grownusingbiaseddeflectionplates)TheuseofdeflectionplateshasincreasedtheIQEoftheGaInNAscellfrom56%to68%atmaximum.TheadditionofantimonydrivesthedeviceIQEevenhigher,reaching79%atmaximum.TheabsorptionedgesofthematerialscloselycorrespondtothebandgapsasmeasuredbyPL:GaInNAs,1.08eV;GaInNAs（DP）,1.03eV;andGaInNAsSb,0.92eV.

太阳能电池制作工艺（少子寿命）GaInNAsfilm：0.55nsGaInNAs（DP）film：0.74ns.GaInNAsSb：0.20ns

太阳能电池制作工艺

太阳能电池制作工艺TheQEsforthesampleswiththewidedepletionwidthsarethebestreportedforaGaInNAssample,0.96.AreportbyLietalonGaInNAssampleswithsimilarbandgaps,butgrownbyMOCVD,showsmaximumQEsbelow0.7.Indeed,thebestGaInNAssolarcellsreportedanywherehave