纳米结构Cu₂O阵列薄膜的铜阳极氧化法制备及其光电化学性能研究.docxVIP

纳米结构Cu?O阵列薄膜的铜阳极氧化法制备及其光电化学性能研究

一、引言

Cu?O作为一种典型的p型半导体材料，具有1.8-2.2eV的适宜禁带宽度，在光催化、光电转换、传感器等领域展现出广阔应用前景。纳米结构Cu?O阵列薄膜因具备高比表面积、优异的电荷传输效率，成为该领域研究热点。铜阳极氧化法凭借操作简便、成本低廉、可大规模制备等优势，为构建高质量Cu?O阵列薄膜提供了有效途径。本文系统研究铜阳极氧化工艺参数对Cu?O阵列薄膜微观结构的调控作用，并深入分析其光电化学性能，旨在为高性能Cu?O基光电器件的开发提供理论依据与技术支撑。

二、实验部分

（一）实验材料与仪器

材料：纯度99.99%的铜片（10mm×20mm×0.5mm），分析纯级H?SO?、NaOH、Na?SO?、无水乙醇，去离子水。

仪器：CHI660E电化学工作站，X射线衍射仪（XRD，CuKα辐射），场发射扫描电子显微镜（FESEM），紫外-可见漫反射光谱仪（UV-VisDRS），光电化学测试系统（含三电极体系：工作电极为Cu?O阵列薄膜，参比电极为饱和甘汞电极（SCE），对电极为铂片）。

（二）Cu?O阵列薄膜的制备

铜片预处理：将铜片依次用1000#、2000#砂纸打磨至表面光滑，随后在无水乙醇中超声清洗10min，去除表面油污；再用0.1mol/LH?SO?溶液浸泡5min，去除氧化层；最后用去离子水冲洗干净，氮气吹干备用。

阳极氧化过程：以预处理后的铜片为阳极，铂片为阴极，Na?SO?溶液（0.1-0.5mol/L）为电解液，在室温下采用恒电位模式（1.0-2.0VvsSCE）进行阳极氧化，反应时间为10-60min。

后处理：氧化结束后，将铜片取出，用去离子水冲洗表面残留电解液，在60℃真空干燥箱中干燥2h，得到纳米结构Cu?O阵列薄膜。

（三）性能表征与测试

物相分析：采用XRD对薄膜进行物相表征，扫描范围2θ=20°-80°，扫描速度5°/min，分析Cu?O的结晶度与物相纯度。

微观结构观察：通过FESEM观察薄膜的表面形貌与截面结构，分析电解液浓度、氧化电位、反应时间对Cu?O阵列形貌（如纳米棒直径、长度、阵列有序性）的影响。

光学性能测试：利用UV-VisDRS测试薄膜的紫外-可见吸收光谱，通过Kubelka-Munk函数计算禁带宽度，分析结构对光吸收性能的影响。

光电化学性能测试：在0.5mol/LNa?SO?电解液中，进行线性扫描伏安（LSV）测试（扫描范围-0.6-0.2VvsSCE，扫描速度10mV/s）、瞬态光电流响应测试（偏压0VvsSCE，模拟太阳光照射）及电化学阻抗谱（EIS）测试（频率范围10?2-10?Hz，交流振幅5mV），评价薄膜的光生载流子分离效率与电荷传输性能。

三、结果与讨论

（一）制备工艺对Cu?O阵列薄膜结构的影响

电解液浓度：当Na?SO?浓度为0.2mol/L时，FESEM显示薄膜形成直径约80-100nm、长度约1.5μm的有序纳米棒阵列；浓度过低（0.1mol/L）时，氧化反应速率慢，阵列不完整；浓度过高（0.5mol/L）时，表面出现团聚现象，纳米棒直径不均匀。XRD结果表明，0.2mol/L时Cu?O（111）晶面衍射峰最强，结晶度最高，无杂质峰（如CuO），说明物相纯度优异。

氧化电位：1.5VvsSCE时，纳米棒阵列垂直基底生长，有序性最佳；电位低于1.2V时，仅形成致密氧化层，无明显阵列结构；电位高于1.8V时，纳米棒顶端出现溶解现象，长度缩短。这是因为电位过低时，Cu2?生成速率不足，难以形成阵列；电位过高时，电解液中OH?浓度降低，Cu?O易被氧化为CuO，且阳极溶解加剧。

反应时间：反应30min时，纳米棒长度达到1.8μm，阵列完整性与有序性最优；时间短于20min时，阵列未完全生长；时间超过40min时，纳米棒之间出现交联，导致比表面积下降。

（二）Cu?O阵列薄膜的光电化学性能

光吸收性能：最优工艺（0.2mol/LNa?SO?、1.5V、30min）制备的Cu?O薄膜在400-600nm可见光区域有强吸收，禁带宽度约1.95eV，低于块体Cu?O（2.2eV），归因于纳米结构的量子限域效应，有利于拓宽光吸收范围，提高太阳光利用率。

光电流响应：瞬态光电流测试显示，该薄膜在模拟太阳光照射下，光电流密度达0.85mA/cm2，是无序Cu?O薄膜（0.32mA/cm2）的2.66倍；且多次开关光循环后，光电流衰减率仅5%，表明阵列结构能有效抑制光生载流子复