第三章模拟集成电路.pptVIP

①低频跨导gm低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转移?特性曲线上求取，单位是mA/V或mS(毫西门子)。二场效应管的微变参数(1).图解法求解：在曲线上作切线，其斜率为gm第29页，共52页，星期日，2025年，2月5日(2).解析法求解：增强型MOSFET:gm=1/Ron耗尽型MOSFET:gm=-(1-UGS/Up)?2IDSS/Up②衬底跨导gmb③漏极电阻rdS：可在输出特性曲线上求解第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日④导通电阻Ron：?极间电容:包括CgS、Cgd、Cgb、Csd、Csb、Cdb。在恒流区：下表列出了MOS管参数第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日表3-2常用场效应三极管的参数第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日三场效应管的微变等效电路1.低频等效电路：Ugs+-gmUgs1/gds+-Ugs+IdFET低频微变等效电路（dUBS=0）第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日2.高频等效电路：FET高频微变等效电路（dUBS=0）UgsGSgmUgs1/gdsDSUgsIdCdsCgs第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日双极型和场效应型三极管的比较第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日双极型和场效应型三极管的比较(续)第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日第四节场效应管的基本放大电路一场效应管的偏置电路二外加偏置电路三三种基本放大电路四三种接法基本放大电路的比较第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日第三章场效应管及基本放大电路MOS场效应管结型场效应管场效应管的主要参数和微变等效电路场效应管基本放大电路第一节第二节第三节第四节第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日第一节MOS场效应极管场效应管：是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是以输入电压控制输出电流的的半导体器件。1.根据载流子来划分：N沟道器件：电子作为载流子的。P沟道器件：空穴作为载流子的。2.根据结构来划分：结型场效应管JFET：绝缘栅型场效应管IGFET：第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日(一)增强型MOSFET结构N沟道增强型MOSFET的结构如图：D为漏极，相当C；G为栅极，相当B；S为源极，相当E。一、N沟道增强型MOS场效应管的工作原理绝缘栅型场效应管MOSFET分为：增强型?N沟道、P沟道耗尽型?N沟道、P沟道N沟道增强型MOSFET结构示意图栅压为零时有沟道栅压为零时无沟道P型硅作衬底浓度较低引出电极B在P型衬底上生成SiO2薄膜绝缘层引出电极G极用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极：S极和D极第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日由于BS短接,G与衬底B间产生电场，电子被正极板吸引,空穴被排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子——电子，将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍不能形成漏极电流ID。1．栅源电压UGS的控制作用漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。即:ID=0（二）工作原理(1).当UGS=0V时:(2).0＜UGS＜UT时:第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日(3).当UGS=UT:(UT称为开启电压)1.在UGS=0V时ID=0;2.只有当UGS＞UT后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。出现反型层,与N形成一体,形成导电沟道;当UDS＞0时:D?沟道?S之间形成漏极电流。(4).当UGS＞UT:(UT称为开启电压)随着UGS的继续增加，沟道加厚，沟道电阻?，ID将不断?（续）工作原理结论第6页，共52页，星期日，2025年，2月5日(1).转移特性曲线的斜率