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2025年芯片散热十年技术报告

一、2025年芯片散热十年技术报告

1.1技术发展背景

（1）随着芯片制程从10nm迈向3nm及以下，晶体管密度呈现指数级增长，单个芯片的晶体管数量从数十亿跃升至数百亿，功耗密度也随之突破1000W/cm2的临界点。这种“性能与热量的赛跑”使得散热技术从过去的辅助角色转变为决定芯片能否稳定运行的核心瓶颈。回顾2015年，智能手机芯片普遍采用风冷散热，功耗不足10W；而2025年的旗舰AI训练芯片功耗已达700W以上，传统风冷已完全失效，液冷、相变材料等主动散热技术成为必然选择。这种转变背后是摩尔定律放缓后的技术突围——当芯片性能提升无法单纯依赖制程缩小时，