2025年智慧树知到《高级神经生物学》考试题库及答案解析.docxVIP

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2025年智慧树知到《高级神经生物学》考试题库及答案解析

就读院校:________姓名:________考场号:________考生号:________

一、选择题

1.神经元之间传递信息的主要方式是()

A.直接接触传递

B.血液循环传递

C.电信号传递

D.化学信号传递

答案:D

解析:神经元之间主要通过突触结构进行信息传递,这种传递方式涉及神经递质的释放和受体结合,属于化学信号传递。直接接触传递不是神经元间的常规方式,血液循环传递是物质运输方式,电信号主要在神经元内部传导,而非神经元间。

2.神经元膜电位静息时主要是由什么维持的()

A.钾离子外流

B.钠离子内流

C.钙离子外流

D.氯离子内流

答案:A

解析:神经元静息电位主要由钾离子通过钾离子通道外流形成,由于细胞膜对钾离子有通透性而对钠离子通透性低,导致膜内带负电,膜外带正电。钠离子内流主要在动作电位上升期,钙离子和氯离子在特定情况下起作用,但非静息电位主要维持因素。

3.动作电位的产生是由于()

A.钾离子内流

B.钠离子外流

C.钙离子内流

D.钠离子内流

答案:D

解析:动作电位是神经元膜电位快速、可逆的变化,其产生机制是钠离子通道大量开放导致钠离子内流,使膜内电位迅速变为正电。钾离子外流是复极化过程,钙离子内流与某些神经元放电有关,但非动作电位主要机制。

4.神经递质与受体结合后,可能引起的膜电位变化是()

A.持续去极化

B.持续超极化

C.快速复极化

D.缓慢去极化

答案:B

解析:神经递质与受体结合后,根据递质类型和受体种类,可能引起兴奋性或抑制性效应。兴奋性递质(如乙酰胆碱)可引起钠离子内流导致去极化,但结合后效应通常是短暂的。抑制性递质(如GABA)可引起氯离子内流或钾离子外流导致超极化,且效应较持久,故持续超极化是可能的结果。

5.神经元突触后膜上离子通道的类型主要是()

A.钾离子通道

B.钠离子通道

C.钙离子通道

D.电压门控通道

答案:D

解析:突触后膜上的离子通道包括电压门控通道和配体门控通道,后者由神经递质激活。电压门控通道对膜电位变化敏感,是产生快速电位变化的关键,而钾、钠、钙通道均属于电压门控类型,但题目问的是类型,电压门控是统称。

6.神经系统高级功能中,与学习和记忆密切相关的脑区是()

A.海马体

B.丘脑

C.基底神经节

D.下丘脑

答案:A

解析:海马体是边缘系统的重要组成,在形成新的长期记忆和学习过程中起关键作用。丘脑是感觉信息中继站,基底神经节与运动控制和习惯形成有关,下丘脑主要调节内脏活动和内分泌。故海马体与题意最相关。

7.神经元突触前膜释放神经递质的调节因素主要是()

A.膜电位变化

B.神经递质合成

C.突触后膜电位

D.神经递质运输

答案:A

解析:突触前膜释放神经递质主要受膜电位变化调控,当动作电位到达突触前末梢时,电压门控钙离子通道开放,钙离子内流触发递质囊泡释放。神经递质合成和运输是基础过程,但释放的即时调节是膜电位依赖的。

8.神经可塑性中,长时程增强(LTP)主要与哪种机制有关()

A.突触结构增大

B.突触后受体密度增加

C.突触前钙离子通道敏感性提高

D.突触间隙宽度减小

答案:B

解析:长时程增强是突触传递功能增强的持久形式,主要机制是突触后受体(如NMDA受体)数量或敏感度增加,导致对相同刺激的响应增强。突触结构增大和间隙减小是形态变化,钙离子通道敏感性提高是触发因素,但受体变化是核心机制。

9.神经元膜上钠钾泵的作用是()

A.促进钠离子内流

B.促进钾离子外流

C.维持膜电位静息状态

D.增加膜对离子的通透性

答案:C

解析:钠钾泵通过主动转运将钠离子泵出细胞,钾离子泵入细胞,维持细胞内外离子浓度梯度,这是形成和维持静息电位的能量基础。它不直接促进离子单方向流动,也不增加膜通透性,而是通过消耗能量维持离子分布平衡。

10.神经内分泌调节中,下丘脑-垂体-靶腺轴的枢纽是()

A.下丘脑

B.垂体前叶

C.垂体后叶

D.靶腺

答案:B

解析:下丘脑通过释放激素调节垂体前叶分泌促激素,垂体前叶再分泌促激素调节靶腺(如甲状腺、肾上腺皮质等)功能,这一过程的核心是垂体前叶作为中间调节环节。下丘脑是起始信号源,靶腺是最终效应器,垂体后叶主要释放下丘脑释放的激素。

11.神经元动作电位的幅度主要取决于()

A.钾离子内流

B.钠离子外流

C.钙离子内流

D.钠离子内流

答案:D

解析:动作电位的上升支主要由大量电压门控钠离子通道开放,导致钠离子快速内流形成,其幅度与钠离子内流的最大速率和程度密切相关。钾离子外流形成下降支,钙离子内流与某些类型神经元的放电有关,但非动作电位幅度的主要决定因素

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