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2025年电子技术应用试题及答案.docx

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    2025年电子技术应用试题及答案

    一、单项选择题（每题2分，共20分）

    1.关于GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET）的特性，以下描述错误的是：

    A.禁带宽度大于硅器件

    B.工作温度上限低于硅MOSFET

    C.导通电阻更小

    D.开关速度更快

    2.某共集电极放大电路中，输入信号为正弦波，输出信号出现顶部失真，最可能的原因是：

    A.静态工作点过高，进入饱和区

    B.静态工作点过低，进入截止区

    C.负载电阻过大

    D.耦合电容容量不足

    3.若要设计一个输出电压为±15V、最大输出电流1A的线性稳压电源，核心元件应选用：

    A.7815

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