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图7-4-5圆波导中模的场结构第62页,共113页,星期日,2025年,2月5日模是圆波导的高次模,其截止波长为,3.模该模式也是一种无极化简并现象的轴对称模式。模只有和三个场分量,且图7-4-6所示。构成闭合回路,场结构如圆波导中,模引起的壁电流分布为(7-4-22)可见,模的壁电流分布只有分量。该特点使得模在高频下的损耗最小,故常被作为毫米波远距离传输模式。第63页,共113页,星期日,2025年,2月5日图7-4-6圆波导中模的场结构第64页,共113页,星期日,2025年,2月5日中所填充的介质是非理想介质,所以电磁波在导行系统中传输时有一定的导体损耗和介质损耗。有损耗的波导中,电磁波的传播常数是复数§7.5波导的损耗实际上波导壁是非理想导体,其电导率值有限,导行系统,其中为衰减常数。7.5.1波导壁损耗由于存在损耗,电磁波在传播过程中,其电磁场量的幅度按衰减,传输功率按衰减。因此,z处的传输功率(7-5-1)其中为处的传输功率。若仅考虑波导壁的损耗,为第65页,共113页,星期日,2025年,2月5日单位长度上的损耗功率为(7-5-2)所以(7-5-3)由电磁场理论,这两部分功率分别为(7-5-4)(7-5-5)是波导的横截面面积,微分面元矢量的方向为+z方向。是单位长度的波导壁表面面积,微分面元矢量的方向为波导壁内表面的法线方向的电磁场量。。和是波导壁内表面上第66页,共113页,星期日,2025年,2月5日应用,假定波导壁的电导率不影响波导中电磁场的分布,也不影响波导壁内表面上的磁场;它的影响仅在于在波导壁内表面上产生了切向电场。波导壁的电导率较大,这样的假设不会引起显著的误差。在该假设下,式(7-5-4)中的场量以及式(7-5-5)中的场量可以用理想波导中的场量来替代。根据式(7-2-17),(7-5-4)可写为(7-5-6)在穿透深度内的电磁波可近似看作导电介质中的平面电磁波,因此有(7-5-7)其中,为波导壁的波阻抗。将式(7-5-7)代入(7-5-5),并可得波导壁的损耗功率:第67页,共113页,星期日,2025年,2月5日(7-5-8)则单位长度波导壁的损耗功率为(7-5-9)式中,是波导壁内表面上磁场的切向分量;为波导横截面的将式(7-5-6)和(7-5-7)代入式(7-5-3),可得(7-5-10)其中1Np=8.686dB。周界。第68页,共113页,星期日,2025年,2月5日(7-5-11)若介质损耗较小,且波导工作在远离截止的传输状态,从而有则上式可写为若波导壁为理想导体,波导内填充的是有耗介质,其损耗角正切为,衰减常数为。由,有,以及7.5.2介质损耗第69页,共113页,星期日,2025年,2月5日比较等式两边,可得(7-5-12)式中,,为工作频率,(电磁参量为)的波导的截止频率,为相应无损介质中的波数。是填充无损介质第70页,共113页,星期日,2025年,2月5日§7.6同轴线同轴线分为硬同轴线和同轴电缆两种,由同轴的内、外导体和导体间填充介质构成,其结构如图7-6-1所示。同轴线能够传输TEM波、TE波和TM波,主模是TEM波。同轴线的频带非常宽,从直流至毫米波段,因而被广泛应用于微波系统中。图7-6-1同轴线第71页,共113页,星期日,2025年,2月5日7.6.1同轴线中TEM波的场分布TEM模的纵向场分量,因此不能采用纵向分量法求解TEM模的场分布。可以直接由麦克斯韦方程组中的旋度方程来求解。因为电磁场量只有横向分量,而且磁场线必须是闭合回路,故磁场仅有分量;又因为电场、磁场相互垂直,所以电场只有分量。由于同轴线的结构对称性,、都是轴对称的,即和都与无关。因此,同轴线中导行
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