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射频感性耦合氢等离子体放电模式转换及回滞现象的多维度模拟解析.docxVIP

射频感性耦合氢等离子体放电模式转换及回滞现象的多维度模拟解析.docx

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    射频感性耦合氢等离子体放电模式转换及回滞现象的多维度模拟解析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代工业与科研领域，等离子体技术正发挥着愈发关键的作用。其中，射频感性耦合氢等离子体（InductivelyCoupledHydrogenPlasma，简称ICP-H?）以其独特的物理化学性质，在半导体制造、材料处理等众多前沿领域展现出巨大的应用价值。

    在半导体制造进程中，芯片制造的精度与效率始终是技术突破的核心方向。射频感性耦合氢等离子体被广泛运用于刻蚀、薄膜沉积等关键工艺环节。在先进的芯片刻蚀工艺里，需要精准地去除硅片表面特定区域的材料，以形成极其精细的电路图案。此时，射频感性耦合氢等

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