半导体探测器参数对比.pptx

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2025/2/251半导体探测器参数对比

2025/2/252金刚石探测器平均电离能:13.1eV材料辐照强度极限:1.8?1016P+/cm2空穴迁移率:2.5?103cm2V-1s-1电子迁移率:1.8?103cm2V-1s-1时间分辨率:ns尺寸大小要求:8?σ探测器耐辐照定义:?灵敏度不能下降至90%以下 ?每个检测通道辐射损伤的相对变化值2%160MeV质子照射下,10%辐射损伤通量极限约为:4×1014P+/cm23MeV、12MeVH0探测中:应用尺寸:3.53mm×18mm厚度:500um电子收集效率

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