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硅通孔三维集成电路测试与可靠性优化：挑战、策略与创新.docxVIP

硅通孔三维集成电路测试与可靠性优化：挑战、策略与创新.docx

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    硅通孔三维集成电路测试与可靠性优化：挑战、策略与创新

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着信息技术的飞速发展，电子产品对高性能、小型化和低功耗的需求日益迫切。传统的二维集成电路在集成度和性能提升方面逐渐面临瓶颈，难以满足不断增长的市场需求。在此背景下，硅通孔三维集成电路（3D-ICwithTSV）技术应运而生，成为推动集成电路产业发展的关键技术之一。

    硅通孔三维集成电路通过在硅衬底中制造垂直通孔，实现不同芯片层之间的直接电气连接，大大缩短了芯片间的互连长度，提高了信号传输速度，降低了功耗，同时显著提升了集成度，为实现小型化、高性能的电子产品提供了可能。该技术在移动设备、高性能计算、人

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