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掺锆氧化铪铁电薄膜的单靶磁控溅射工艺研究

摘要：HfO2铁电薄膜由于其与CMOS工艺的兼容性和可扩展性，在非易失性存储器中得到了广泛的应用。大多数研究都集中在用ALD或MOCVD沉积于HfO2基铁电薄膜上。然而，前驱体的污染是能否实现可靠的非易失性存储器的一个关键。本文研究了用射频磁控溅射法在室温下用一个陶瓷靶沉积Zr掺杂的HfO2。通过改变Ar/O2流量比，提高了Hf1-xZrxO2薄膜的铁电性。用氩溅射法制备了10nm厚的Hf1-xZrxO2薄膜，其剩余极化2Pr为29.4μC/cm2。利用掠入射X射线衍射和压电力显微镜确定了纳米铁电畴开关和微观晶体结构。

关键词：HfO2铁电薄膜；磁控溅