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2025年智慧树知到《模拟电子技术基础ABC》考试题库及答案解析

就读院校：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.半导体二极管正向偏置时，其内部主要是（）

A.电子扩散运动

B.空穴扩散运动

C.电子漂移运动

D.空穴漂移运动

答案：A

解析：当半导体二极管正向偏置时，P区的空穴向N区移动，N区的电子向P区移动，形成电流。主要是电子从N区扩散到P区，因此是电子扩散运动。

2.稳压二极管正常工作在（）

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.零偏置状态

答案：C

解析：稳压二极管的主要功能是稳压，它工作在反向击穿区，利用反向击穿时的伏安特性曲线近似水平的特性来稳定电压。

3.晶体三极管实现放大作用的外部条件是（）

A.发射结反偏，集电结反偏

B.发射结正偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结零偏，集电结零偏

答案：C

解析：晶体三极管要实现放大作用，发射结必须正向偏置，以提供发射极电流，集电结必须反向偏置，以将发射极注入的载流子收集到集电极。

4.共发射极放大电路的电压放大倍数（）

A.较小

B.较大

C.等于1

D.等于0

答案：B

解析：共发射极放大电路既能放大电压又能放大电流，其电压放大倍数通常较大，是三种基本接法中电压增益最高的。

5.场效应晶体管的输出特性曲线中，恒定电流线对应的栅源电压（）

A.越高，电流越大

B.越低，电流越大

C.越高，电流越小

D.越低，电流越小

答案：A

解析：在场效应晶体管的输出特性曲线中，对于同一个漏极电流ID，对应的栅源电压VGS越高，说明开启电压越大，但通常在恒定电流线上，VGS越高，ID也越大。

6.差分放大电路的主要特点是（）

A.对共模信号有放大作用

B.对差模信号有放大作用

C.对直流信号无放大作用

D.对交流信号无放大作用

答案：B

解析：差分放大电路的核心特点是放大两个输入端信号的差值，即差模信号，而对两个输入端信号的共模部分有抑制作用。

7.运算放大电路中的“虚短”是指（）

A.输出电压为零

B.输入电阻为零

C.反相输入端电压等于同相输入端电压

D.输入电流为零

答案：C

解析：在理想运算放大电路中，由于开环增益极高，当输出电压达到饱和时，反相输入端和同相输入端的电压差趋近于零，即“虚短”。

8.功率放大电路的主要指标是（）

A.电压放大倍数

B.输入阻抗

C.输出功率

D.输出电流

答案：C

解析：功率放大电路的主要目的是向负载提供较大的功率，因此输出功率是衡量其性能的主要指标。

9.整流电路的作用是（）

A.将交流电转换为直流电

B.将直流电转换为交流电

C.稳定直流电压

D.调节交流电压

答案：A

解析：整流电路利用二极管的单向导电性，将交流电转换为脉动的直流电。

10.滤波电路的作用是（）

A.提高电路的输入阻抗

B.降低电路的输出阻抗

C.滤除电路中的交流成分

D.增强电路的放大能力

答案：C

解析：滤波电路利用电容和电感的特性，滤除电路中的unwanted交流成分，使输出更加平滑的直流电。

11.差分放大电路的共模抑制比越大，说明（）

A.电路对差模信号的放大能力越强

B.电路对共模信号的放大能力越强

C.电路抑制共模信号的能力越强

D.电路抑制差模信号的能力越强

答案：C

解析：共模抑制比（CMRR）是衡量差分放大电路性能的重要指标，它表示电路放大差模信号的能力与放大共模信号的能力之比。共模抑制比越大，说明电路抑制共模信号（如温度漂移、电源干扰等）的能力越强。

12.运算放大电路在开环状态下，输出电压通常（）

A.等于零

B.等于电源电压

C.处于饱和状态

D.无法确定

答案：C

解析：理想运算放大电路的开环增益极高，当输入端存在微小的电压差时，输出电压就会达到最大值，即进入饱和状态。因此，开环运放通常工作在饱和区。

13.桥式整流电路中，若有一只二极管开路，则（）

A.电路仍能正常工作，但输出电压降低

B.电路仍能正常工作，但输出电压升高

C.电路无法正常工作，输出电压为零

D.电路无法正常工作，输出电压约为半波电压

答案：D

解析：桥式整流电路依靠四只二极管组成桥式结构，实现全波整流。若其中一只二极管开路，桥式结构被破坏，电路只能相当于半波整流，输出电压仅为单边半波电压，且脉动较大。

14.电容滤波电路适用于（）

A.负载电流较小的场合

B.负载电流较大的场合

C.负载电阻变化较大的场合

D.负载电阻变化较小的场合

答案：A

解析：电容滤波电路利用电容的充放电特性平滑输出电压。电容两端电压不能突变，