砷化镓增强型FET单刀双掷射频开关规格书.pdfVIP

数据表

AS169‑73、AS169‑73LF：增强模式高电子迁移率晶体管

砷化镓IC单刀双掷开关300千赫–2.5千兆赫

应用引脚排列

●用于电信应用的通用率开关

J3

●802.11b、gWLAN蓝牙TM系统中的收发开关

J1

特点J2

●P1dB典型值30dBm@3V

●IP3典型值52dBm直流阻断电容（CBL）必须在外部，以实现正电压操作。CBL=100皮法，用于

●低损耗（0.9GHz时为0.3dB）操作500兆赫兹。

●低直流功耗

●超小型低成本SOT‑6塑料封装

●无铅（lead‑free）和符合RoHS的MSL‑1@260

°C（依据JEDECJ‑STD‑020）

描述

AS169‑73是一款低成本SOT‑6塑料封装的FET单刀双

掷（SPDT）开关IC。AS169‑73具有低损耗和正

电压操作特性，并且直流功耗极低。该通用开关可用

于多种电信应用。

思佳讯无铅（Pb）且符合有害物质限制指

令（RoHS）的封装。

25摄氏度时的电气规格

Z0=50Ω，VCTL=0/3V，除非另有说明

参数频率Min.Typ.Max.Unit

损耗(1)300千赫–1.0千兆赫0.30.4dB

300千赫–2.5千兆赫0.40.5dB

度300千赫–1.0千兆赫2225dB

300千赫–2.5千兆赫2124dB

电压驻波比300千赫–1.0千兆赫1.15:11.25:1

(2)

300千赫–2.5千兆赫1.3:11.4:1

1.损耗随温度变化为0.003分贝

每摄氏度。2.损耗状态。

DATASHEET

AS169-73,AS169-73LF:PHEMTGaAsICSPDTSwitch

300kHz–2.5GHz

ApplicationsPinOut

●General-