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单晶操作工考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填在括号内，每题2分，共30分）

1.下列哪种方法不属于单晶生长的常用方法？（ACE）

A.提拉法(Czochralski,CZ)

B.浮区法(FloatZone,FZ)

C.区熔法(ZoneRefining)

D.熔体蒸发法(Evaporation)

E.溶剂萃取法(SolventExtraction)

2.在单晶生长过程中，理想晶体的结构特征是（BD）。

A.存在大量位错

B.晶格排列规整、无缺陷

C.晶粒尺寸非常小

D.具有确定的晶向和晶面指数

3.Czochralski法生长单晶时，籽晶通常选择（AB）。

A.与待生长单晶相同材质的多晶或单晶

B.具有特定晶向和晶面的小晶体

C.导热性极差的材料

D.硬度非常低的材料

4.单晶炉中，加热系统的核心作用是（ACE）。

A.提供生长所需的高温

B.实现炉体的高真空环境

C.精确控制熔体和晶体的温度

D.完成晶体的旋转和提拉

E.确保温度分布均匀

5.生长高质量单晶时，对炉内真空度的要求主要是为了（BD）。

A.增加熔体的粘度

B.防止气体的溶入和杂质污染

C.便于观察晶体生长情况

D.减少晶体生长过程中气泡的产生

6.下列哪种属于单晶生长过程中常见的晶体缺陷？（ACD）

A.位错

B.晶界

C.包裹体

D.气泡

E.晶粒

7.提拉法生长单晶时，通过控制（CE）可以影响晶体的直径和形状。

A.真空度大小

B.冷却水的流速

C.拉晶速度

D.炉膛的几何形状

E.晶体的旋转速度

8.单晶生长过程中，温度梯度是指（AB）。

A.熔体与晶体界面处的温度差

B.炉内垂直方向上的温度变化率

C.炉壁的温度

D.晶体的温度

9.对于需要高纯度的单晶材料，常用的生长方法是（AC）。

A.Czochralski法

B.区熔法

C.FloatZone法

D.MOCVD法

10.单晶炉的真空系统通常包含（BCD）。

A.加热元件

B.机械泵

C.扩散泵

D.转子泵

E.温度控制器

11.操作单晶炉时，必须佩戴的个人防护装备（PPE）包括（ACE）。

A.防护眼镜/面罩

B.普通工作服

C.防高温辐射工作服/手套

D.丝绸领带

E.防静电鞋

12.发现单晶炉真空度异常升高，可能的原因是（AD）。

A.真空管道泄漏

B.加热功率过低

C.晶体过快旋转

D.真空计损坏或校准不准

13.单晶生长过程中，保护气氛的引入主要是为了（BC）。

A.提高拉晶速度

B.防止材料在高温下氧化

C.沉淀掉杂质元素

D.增加熔体的导电性

14.检查单晶炉加热系统是否正常工作的一个重要指标是（AE）。

A.炉温的稳定性

B.真空泵的噪音大小

C.晶体旋转的平稳性

D.冷却水的温度

E.温控器显示值与实际温度的偏差

15.单晶生长结束后，关机操作的正确顺序通常是（ABC）。

A.先停止加热，待炉温降至安全值

B.按照规定顺序停止真空系统（如先停扩散泵，再停机械泵）

C.整理现场，关闭相关电源和阀门

D.立即拆下生长好的晶体

二、判断题（请将正确的打“√”，错误的打“×”，每题2分，共20分）

1.单晶就是各向同性的晶体。（×）

2.Czochralski法生长硅单晶时，通常使用石墨作为加热元件。（√）

3.晶体缺陷越多，单晶的质量通常越好。（×）

4.单晶生长必须在高真空环境下进行。（√）

5.拉晶速度过快容易导致晶体产生位错等缺陷。（√）

6.单晶炉的冷却系统仅用于防止炉体过热。（×）

7.操作人员可以赤手触摸正在运行的晶体旋转轴。（×）

8.真空度越高，单晶生长效果越好，因此不需要控制真空度。（×）

9.发现设备出现异常声音或气味时，应立即停止操作并报告。（√）

10.晶体生长