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忆耦器：开启新一代信息功能器件的钥匙

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，传统信息技术面临着诸多瓶颈。现代计算机长期采用冯?诺依曼结构，运算器与存储器分离，致使运算器与存储器之间的数据传输成为影响系统性能的瓶颈，即“冯?诺依曼瓶颈”，极大地限制了计算机性能的进一步提升。同时，现代计算机中的运算器和主存储器多为易失性器件，不仅断电后信息即刻消失，而且能耗较高。例如，计算机内存采用的动态和静态随机存储器（DRAM和SRAM）在断电时存储的信息会立即丢失，这不仅需要持续的电源供应来维持存储信息，还增加了能耗成本。在数据量呈指数级增长的大数据时代，以及对设备性能和能耗要求愈发严苛的物联网、人工智能等新兴领域，传统信息技术的这些瓶颈愈发凸显，迫切需要新的技术和器件来突破困境。

忆耦器作为一种基于磁电耦合效应的新型器件，为解决上述问题带来了新的希望。忆耦器源于第四种基本电路元件电耦器，其基本特征是表现出非线性电荷-磁通回滞曲线，采用电耦（T=dq/dφ，或者等效于磁电耦合系数α=dE/dH）的状态来存储信息。与忆阻器采用电阻（R=dv/di）的状态存储信息不同，忆耦器具有独特的优势。它的信息处理原理采用电写磁读，具备高速度、高密度、低功耗、并行读取、结构简单、易于制备等优点。在开发新一代信息功能器件方面，忆耦器展现出了巨大的潜力，有望成为下一代通用型非易失存储器。若能将忆耦器成功应用于计算机系统，实现运算器和存储器合二为一的非冯?诺依曼结构，不仅可以有效解决“冯?诺依曼瓶颈”问题，提高计算机的性能和数据处理速度，还能利用其非易失性和低功耗特性，降低能耗，实现即开即用，推动计算机技术向高性能、低功耗、小型化方向发展，对整个信息技术领域产生深远影响。

1.2忆耦器的发展历程

忆耦器的发展历程虽短暂却充满了关键突破。2015年，为突破现有计算机的发展瓶颈，中国科学院物理研究所的科研团队基于磁电耦合效应提出了忆耦器的概念，作为记忆元件的补充，它可以推导出q-φ的直接关系，符合第四个基本电路元件的定义，这一概念的提出为后续研究奠定了理论基础。

随后，科研人员在忆耦器的制备和性能研究方面取得了一系列重要成果。2016年，中国科学院物理研究所孙阳研究组的研究生申见昕、丛君状等在Ag/PMN-PT/Terfenol-D/Ag忆耦器中实现了室温下两态信息存储，第一次成功演示了忆耦器作为新型非易失性存储器的功能，这一成果以Letter形式发表于《PhysicalReviewApplied》，标志着忆耦器从理论概念迈向实际应用的重要一步。在此基础上，他们又在该忆耦器中实现了多态（4态和8态）存储，展示了忆耦器在提高存储密度方面的潜力。常规存储器每个存储单元只能存储2种状态（0,1），而多态存储器在每个存储位上可以存储2n个状态，忆耦器的多态存储特性使其具有更高的存储密度。与电阻型多态存储器相比，由于电耦值可以从正到负分布，忆耦器还具有更高的存储密度和容错度。

同年，该研究组采用简单金属Ni来替代复杂贵重合金Terfenol-D，制备了Ni/PMN-PT/Ni忆耦器，同样实现了非易失性两态和多态存储器。更为重要的是，他们基于单个Ni/PMN-PT/Ni忆耦器实现了非易失性通用逻辑门NOR和NAND，这一成果表明忆耦器与忆阻器类似，可以兼有信息存储和布尔逻辑运算的功能，因而有望用于实现非冯?诺依曼结构的下一代计算机，为忆耦器在计算机领域的应用开辟了新的道路。

此外，研究生鲁佩佩等基于有机铁电体制备出Cu/P(VDF-TrFE)/Metglas和Cu/P(VDF-TrFE)/Ni有机忆耦器，并成功实现了非易失性多态信息存储，为忆耦器在柔性可穿戴电子器件等领域的应用提供了可能。这些系列研究进展表明，忆耦器在开发下一代信息功能器件方面具有巨大的潜力，也吸引了越来越多的科研人员投身于忆耦器的研究，推动其不断发展和完善。

1.3研究目的与方法

本文旨在深入研究忆耦器在新型信息功能器件中的应用，通过对忆耦器的特性、工作原理、制备方法以及与其他器件的集成等方面进行系统研究，揭示忆耦器在突破传统信息技术瓶颈、推动非冯?诺依曼结构计算机发展中的关键作用和潜力，为忆耦器的实际应用提供理论支持和技术指导。

在研究方法上，首先采用理论分析的方法，深入探讨忆耦器的基本原理和特性，建立忆耦器的数学模型，分析其电荷-磁通关系、电耦特性以及信息存储和逻辑运算的机制，从理论层面揭示忆耦器的工作本质。

其次，运用实验研究的手段，通过多种材料制备忆耦器，如基于铁电/铁磁复合多铁性材料、有机铁电体等，研究不同材料对忆耦器性能的影响，优化忆