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第三章ASIC库设计.pptVIP

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  • 2025-12-16 发布于江西
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第三章ASIC库设计.ppt

    第三章ASIC库设计;3.1晶体管电阻;

    图中，反相器的斜坡输入Vin从零迅速上升到VDD，相应的输出Vout由VDD下降到零。可用0.5VDD时的输入翻转点以及0.35VDD和0.65VDD的输出翻转点测量反相器传输延迟Tpd.初始时n沟道m1截止，随着输入信号的上升，m1导通进入饱和。用电阻Rpd模拟晶体管m1，这就是下拉电阻。m2的等效电阻是上拉电阻Rpu。;延迟是由上拉电阻和下拉电阻以及单元输出中的寄生电容和外部负载Cout共同引起的。

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