1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子设计

硅探测器物理报告.pptx

硅探测器物理报告.pptx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    硅探测器物理报告

    ReportforSiliconDetectorPhysics;I-V：漏电流、噪声

    C-V：临界电压、掺杂分布

    调研了部分实验，其中有较早研究LGAD的。;信号电荷

    带隙越大，信号电荷越小

    需要小静态电流的强场，高电阻，带隙增加，影响信号电荷

    SensorVolume：

    PN结电流：理论和实验互相印证了特殊曲线。

    pnjunction内建电压

    探测器边缘损坏增大漏电流

    掺杂浓度;电荷收集

    信号收集的效率与灵敏度

    收集时间：

    偏压越大，收集越快;耗尽电压

    一

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    各类考试教育模板资料专家 + 关注
    实名认证
    服务提供商

    专注于各类教育类资料、资格考试类资料、实用模板类资料、行业资料等十余年。

    咨询作者（9人已咨询） 服务中

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >