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基于第七代IGBT技术三电平逆变器拓扑架构的技术优势

当电能质量和效率是电力电子应用的驱动因素，则三电平拓扑就是其中的关键，尤其是在可再生能源领域的应用。三电平拓扑结合最新的第七代IGBT产品，确立了新能源应用的新基准。在过去的几个月里，SEMIKRON从两家不同的制造商引进了950伏和1200伏第7代IGBTs。两个第7代IGBTs都比以前的版本有了根本性的改进。由于采用了新的芯片设计，在所有电流等级中，芯片尺寸平均缩小了25％。这样可以在现有模块外壳中提供更高的标称电流，从而获得更高的电流密度，并使饱和电压Vce(sat)降低约20％。第7代IGBTs的另一个重要新特性是能够在更高的结温下