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超导量子比特退相干抑制的新材料探索

引言

在量子计算的众多物理实现路径中，超导量子比特因其可扩展性强、与传统半导体工艺兼容等优势，成为当前最具应用潜力的技术方向之一。然而，量子比特的退相干问题始终是制约其性能提升的核心瓶颈——当量子比特与环境发生不可控的相互作用时，量子叠加态会被破坏，导致计算错误率激增。抑制退相干的关键在于减少环境噪声对量子比特的干扰，而材料作为量子芯片的物理载体，其特性直接决定了噪声源的类型与强度。因此，探索能够有效抑制退相干的新型材料，成为推动超导量子计算从实验室走向实用化的关键突破口。

一、超导量子比特退相干的核心机制与材料关联

要理解新材料探索的必要性，首先需要明确退相干的物理本质及其与材料特性的内在联系。超导量子比特通过约瑟夫森结（由两层超导金属夹一层薄绝缘层构成）实现量子态的调控，其工作环境通常处于极低温（约10毫开尔文）和高真空环境中，但即便如此，仍存在多种噪声源会诱发退相干。

（一）退相干的主要噪声源

退相干主要表现为两种形式：能量弛豫（T?时间，量子态从激发态衰减到基态的时间）和相位模糊（T?时间，量子态相位相干性丧失的时间）。对应的噪声源包括：

电荷噪声：来源于材料表面或界面的电荷陷阱（如缺陷、吸附分子），这些陷阱中的电荷会随机涨落，导致约瑟夫森结的有效电荷偏移，影响量子比特的频率稳定性。

磁通噪声：由材料内部或表面的磁矩（如未配对电子、磁性杂质）的随机翻转引起，会干扰量子比特对磁通的敏感测量，尤其对磁通量子比特影响显著。

介电损耗：衬底材料或绝缘层中的偶极子在微波场作用下发生弛豫，消耗能量并产生热噪声，缩短量子比特的能量弛豫时间。

（二）材料特性对噪声的调制作用

材料的微观结构与化学性质直接决定了噪声源的密度和活性。例如，衬底材料的表面粗糙度会影响电荷陷阱的数量——表面越粗糙，吸附的杂质分子越多，电荷噪声越强；约瑟夫森结绝缘层的缺陷密度（如氧空位）则直接决定了介电损耗的大小；而超导薄膜的晶界缺陷会引入额外的磁通噪声源。因此，通过优化材料的成分、结构和界面特性，可以从根源上抑制噪声，延长量子比特的相干时间。

二、现有材料体系的局限性分析

当前主流的超导量子芯片主要采用“铝（Al）约瑟夫森结+硅（Si）/蓝宝石（Al?O?）衬底+二氧化硅（SiO?）保护层”的材料组合。尽管这一体系在工艺成熟度上具有优势，但其在抑制退相干方面的局限性已逐渐显现。

（一）传统衬底材料的噪声贡献

硅是最常用的衬底材料，但其表面存在大量悬挂键和氧化层缺陷，容易吸附水、二氧化碳等分子，形成稳定的电荷陷阱。实验表明，硅衬底表面的电荷涨落会导致量子比特的T?时间缩短至微秒级。蓝宝石衬底虽然表面缺陷较少，但与铝薄膜的晶格失配度较高（约13%），导致铝薄膜在生长过程中容易形成晶界和位错，这些结构缺陷会引入磁通噪声，限制T?时间的提升。

（二）约瑟夫森结材料的界面缺陷问题

传统约瑟夫森结通常采用“铝-氧化铝（Al-AlO?-Al）”结构，其中氧化铝绝缘层通过铝的自然氧化形成。这种工艺虽简单，但氧化层厚度难以精确控制（通常为1-2纳米），且内部存在大量氧空位和未氧化的铝原子团簇。这些缺陷会导致介电损耗增大，同时成为电荷陷阱的主要来源。此外，铝的超导临界温度较低（约1.2开尔文），在极低温环境下需严格控制温度波动，增加了系统的复杂性。

（三）保护层材料的损耗隐患

为防止超导薄膜氧化，芯片表面通常会沉积一层二氧化硅或氮化硅作为保护层。但这些材料属于极性介质，其内部的偶极子在微波场作用下会发生弛豫，产生介电损耗。例如，二氧化硅的损耗角正切值（衡量介电损耗的指标）约为10??量级，这会显著缩短量子比特的能量弛豫时间。

三、新材料探索的关键方向与进展

针对现有材料的局限性，科研人员从衬底、约瑟夫森结、保护层等多个维度展开了新材料探索，目标是通过材料革新降低噪声源密度、优化界面特性，并提升材料与超导工艺的兼容性。

（一）低噪声衬底材料的革新

衬底作为量子芯片的“地基”，其表面和体相的噪声特性对量子比特性能起决定性作用。近年来，金刚石、氮化硼（BN）等新型衬底材料逐渐进入视野。

金刚石具有极优的物理特性：其表面悬挂键密度极低（仅为硅的1/100），且化学性质稳定，不易吸附杂质分子，可大幅降低电荷噪声；同时，金刚石的热导率极高（约2000W/(m·K)），能有效扩散芯片工作时产生的热量，减少热噪声。实验显示，采用金刚石衬底的超导量子比特，其T?时间较硅衬底样品提升了3倍以上。

氮化硼是另一种极具潜力的衬底材料，其原子级平整的表面（粗糙度小于0.1纳米）可减少电荷陷阱的形成，且与铝、铌等超导金属的晶格匹配度较高（如与铌的晶格失配度小于5%），有助于生长高质量的超导薄膜。初步实验表明，氮化硼衬底上制备的量子比特，其磁通噪声水平降低了一个数量级。