1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 汽车/机械/制造
  5. 机械/仪表工业

GaN器件的特性研究.docx

GaN器件的特性研究.docx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    1绪论

    PAGE

    PAGE1

    2GaN器件的特性研究

    2ResearchonthecharacteristicsofGaNdevices

    2.1GaN器件的静态特性（StaticcharacteristicsofGaNdevices）

    2.1.1GaN材料的特性

    在发展历程里第一代半导体材料为硅、锗、硒，第二代为砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）之后，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）已成为典型的第三代半导体材料。材料的特性不同决定了这些导体器件的特性不同。目前发展，氮化镓GaN和碳化硅SiC发展较成熟。通过表格1对第二代、第三代典型

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    ***** + 关注
    实名认证
    内容提供者

    乐于分享，有偿帮助。

    咨询Ta 进入空间
    版权声明书
    用户编号：8070007123000004

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >