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电磁场理论试题及答案解析
一、单选题(每题2分,共10题)
1.在静电场中,高斯定律的微分形式为?·D=ρ,以下说法正确的是()。
A.D仅与自由电荷有关
B.?·D仅与自由电荷有关
C.D与束缚电荷有关,但?·D仅与自由电荷有关
D.D与束缚电荷无关,但?·D与束缚电荷有关
2.真空中,一个点电荷q位于原点,其产生的电场强度E在距离r处的表达式为()。
A.E=qr/4πε?r3
B.E=q/4πε?r2
C.E=4πε?qr2
D.E=4πε?q/r2
3.以下哪种情况下,电场是保守场?()
A.静电场
B.运动电荷产生的磁场
C.电磁波
D.磁场
4.在稳恒电流场中,电流密度J与电场强度E的关系为()。
A.J=εE
B.J=σE
C.J=μE
D.J=1/εE
5.真空中,一个无限长直导线通有电流I,其周围距离r处的磁感应强度B的表达式为()。
A.B=μ?I/2πr
B.B=μ?I/r2
C.B=μ?I/2r2
D.B=μ?I/4πr2
二、填空题(每题2分,共10题)
6.在静电场中,电场的通量ΦE与高斯面上的电荷Q的关系为__________。
7.真空中,一个点电荷q产生的电势φ在距离r处的表达式为__________。
8.磁场的高斯定律表达式为__________。
9.在稳恒电流场中,欧姆定律的微分形式为__________。
10.电磁波在真空中的传播速度为__________。
三、计算题(每题10分,共5题)
11.一个半径为R的均匀带电球体,总电荷量为Q,求球体内距离球心r处的电场强度E。
12.一个无限长同轴电缆,内导体半径为a,外导体半径为b,内导体通有电流I,求距离轴线r处的磁感应强度B(arb)。
13.一个边长为a的正方形线框,通有电流I,置于均匀磁场B中,线框平面与磁场方向垂直,求线框所受的磁力矩M。
14.一个电容器由两个平行板组成,板间距离为d,板面积为S,板间介质介电常数为ε,求电容器的电容C。
15.一个频率为f的电磁波在真空中传播,求其波长λ。
答案解析
一、单选题答案解析
1.答案:B
解析:高斯定律的微分形式?·D=ρ仅与自由电荷有关,D是电位移矢量,与自由电荷和束缚电荷都有关,但高斯定律的微分形式仅考虑自由电荷。
2.答案:B
解析:真空中,点电荷q产生的电场强度E在距离r处为E=q/4πε?r2,这是库仑定律的推论。
3.答案:A
解析:静电场是保守场,电场力做功与路径无关,只与起点和终点有关。
4.答案:B
解析:稳恒电流场中,电流密度J与电场强度E的关系为J=σE,σ是电导率。
5.答案:A
解析:无限长直导线通有电流I,其周围距离r处的磁感应强度B为B=μ?I/2πr,这是安培环路定律的推论。
二、填空题答案解析
6.答案:ΦE=Q/ε?
解析:高斯定律的积分形式为∮E·dS=Q/ε?,即电场的通量ΦE等于高斯面上的电荷Q除以ε?。
7.答案:φ=q/4πε?r
解析:真空中,点电荷q产生的电势φ在距离r处为φ=q/4πε?r。
8.答案:?·B=0
解析:磁场的高斯定律为?·B=0,即磁场是无源场,不存在磁单极子。
9.答案:J=σE
解析:欧姆定律的微分形式为电流密度J与电场强度E成正比,比例系数为电导率σ。
10.答案:3×10?m/s
解析:电磁波在真空中的传播速度为光速,即3×10?m/s。
三、计算题答案解析
11.解析:
对于均匀带电球体,球体内距离球心r处的电场强度E为:
E=ρr/(3ε?),其中ρ=Q/V=Q/(4/3πR3),V为球体体积。
所以E=Qr/(4πε?R3)。
12.解析:
根据安培环路定律,取半径为r的圆形安培环路,磁感应强度B沿环路上处处相等,方向沿环路切线方向。
∮B·dl=μ?I_enclosed,其中I_enclosed为环路内电流。
对于arb,I_enclosed=I(πa2/πb2)=Ia2/b2。
所以B=μ?Ia2/(2πrb2)。
13.解析:
线框所受的磁力矩M为M=NBIA,其中N为线匝数(这里N=1),B为磁感应强度,A为线框面积。
所以M=BIA=a2B。
14.解析:
电容器的电容C为C=εS/d,其中ε为介电常数,S为板面积,d为板间距离。
所以C=εS/d。
15.解析:
电磁波的波长λ与频率f的关系为c=λf,其中c为光速。
所以λ=c/f=3×10?/f。
本试题基于近年相关经典考题创作而成,力求帮助考生提升应试能力,取得好成绩!
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