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电磁场理论试题及答案解析

一、单选题(每题2分,共10题)

1.在静电场中,高斯定律的微分形式为?·D=ρ,以下说法正确的是()。

A.D仅与自由电荷有关

B.?·D仅与自由电荷有关

C.D与束缚电荷有关,但?·D仅与自由电荷有关

D.D与束缚电荷无关,但?·D与束缚电荷有关

2.真空中,一个点电荷q位于原点,其产生的电场强度E在距离r处的表达式为()。

A.E=qr/4πε?r3

B.E=q/4πε?r2

C.E=4πε?qr2

D.E=4πε?q/r2

3.以下哪种情况下,电场是保守场?()

A.静电场

B.运动电荷产生的磁场

C.电磁波

D.磁场

4.在稳恒电流场中,电流密度J与电场强度E的关系为()。

A.J=εE

B.J=σE

C.J=μE

D.J=1/εE

5.真空中,一个无限长直导线通有电流I,其周围距离r处的磁感应强度B的表达式为()。

A.B=μ?I/2πr

B.B=μ?I/r2

C.B=μ?I/2r2

D.B=μ?I/4πr2

二、填空题(每题2分,共10题)

6.在静电场中,电场的通量ΦE与高斯面上的电荷Q的关系为__________。

7.真空中,一个点电荷q产生的电势φ在距离r处的表达式为__________。

8.磁场的高斯定律表达式为__________。

9.在稳恒电流场中,欧姆定律的微分形式为__________。

10.电磁波在真空中的传播速度为__________。

三、计算题(每题10分,共5题)

11.一个半径为R的均匀带电球体,总电荷量为Q,求球体内距离球心r处的电场强度E。

12.一个无限长同轴电缆,内导体半径为a,外导体半径为b,内导体通有电流I,求距离轴线r处的磁感应强度B(arb)。

13.一个边长为a的正方形线框,通有电流I,置于均匀磁场B中,线框平面与磁场方向垂直,求线框所受的磁力矩M。

14.一个电容器由两个平行板组成,板间距离为d,板面积为S,板间介质介电常数为ε,求电容器的电容C。

15.一个频率为f的电磁波在真空中传播,求其波长λ。

答案解析

一、单选题答案解析

1.答案:B

解析:高斯定律的微分形式?·D=ρ仅与自由电荷有关,D是电位移矢量,与自由电荷和束缚电荷都有关,但高斯定律的微分形式仅考虑自由电荷。

2.答案:B

解析:真空中,点电荷q产生的电场强度E在距离r处为E=q/4πε?r2,这是库仑定律的推论。

3.答案:A

解析:静电场是保守场,电场力做功与路径无关,只与起点和终点有关。

4.答案:B

解析:稳恒电流场中,电流密度J与电场强度E的关系为J=σE,σ是电导率。

5.答案:A

解析:无限长直导线通有电流I,其周围距离r处的磁感应强度B为B=μ?I/2πr,这是安培环路定律的推论。

二、填空题答案解析

6.答案:ΦE=Q/ε?

解析:高斯定律的积分形式为∮E·dS=Q/ε?,即电场的通量ΦE等于高斯面上的电荷Q除以ε?。

7.答案:φ=q/4πε?r

解析:真空中,点电荷q产生的电势φ在距离r处为φ=q/4πε?r。

8.答案:?·B=0

解析:磁场的高斯定律为?·B=0,即磁场是无源场,不存在磁单极子。

9.答案:J=σE

解析:欧姆定律的微分形式为电流密度J与电场强度E成正比,比例系数为电导率σ。

10.答案:3×10?m/s

解析:电磁波在真空中的传播速度为光速,即3×10?m/s。

三、计算题答案解析

11.解析:

对于均匀带电球体,球体内距离球心r处的电场强度E为:

E=ρr/(3ε?),其中ρ=Q/V=Q/(4/3πR3),V为球体体积。

所以E=Qr/(4πε?R3)。

12.解析:

根据安培环路定律,取半径为r的圆形安培环路,磁感应强度B沿环路上处处相等,方向沿环路切线方向。

∮B·dl=μ?I_enclosed,其中I_enclosed为环路内电流。

对于arb,I_enclosed=I(πa2/πb2)=Ia2/b2。

所以B=μ?Ia2/(2πrb2)。

13.解析:

线框所受的磁力矩M为M=NBIA,其中N为线匝数(这里N=1),B为磁感应强度,A为线框面积。

所以M=BIA=a2B。

14.解析:

电容器的电容C为C=εS/d,其中ε为介电常数,S为板面积,d为板间距离。

所以C=εS/d。

15.解析:

电磁波的波长λ与频率f的关系为c=λf,其中c为光速。

所以λ=c/f=3×10?/f。

本试题基于近年相关经典考题创作而成,力求帮助考生提升应试能力,取得好成绩!

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