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《减薄与划片工艺介绍》

减薄与划片流程图减薄工艺简介划片工艺简介

芯片生产工艺流程图外延片下料清洗蒸镀黄光作业刻蚀合金减薄划片测试分选减薄、划片位于芯片生产工艺的中游。

减薄、划片COW（chiponwafer）COT(chiponwafer)减薄、划片

减薄、划片工艺中主要使用的机台研磨机抛光机

减薄、划片工艺中主要使用的机台激光划片机裂片机

减薄、划片工艺流程图减薄上蜡研磨抛光卸片清洗划片贴片切割裂片倒膜扩张

减薄定义减薄:顾名思义是通过特定的工艺手法将物体由厚变薄的过程。430μm80μm我司减薄的过程是要将厚度约为430μm的COW片（chiponwafer）减薄至80μm±5μm左右

上蜡减薄上蜡研磨抛光卸片清洗定义：将芯片固定在陶瓷盘上便于减薄的过程。

上蜡减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：清洁陶瓷盘上蜡贴片前，首先需要保证陶瓷盘的洁净程度，LED芯片减薄是属于微米量级的操作，任何细微的杂质都可能导致意想不到的异常状况。

上蜡减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：涂蜡将陶瓷盘加热至140℃，保证蜡条能迅速融化，涂蜡过程中需注意要使蜡均匀分布在陶瓷盘表面。

上蜡减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：贴片将需要减薄的芯片小心放置于陶瓷盘上，注意需要赶走芯片与蜡层之间的气泡。

上蜡减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：加压冷却通过加压的方式使，陶盘与芯片之间的蜡均匀分布，并凝固将芯片固定。

研磨减薄上蜡研磨抛光卸片清洗定义：使用钻石砂轮将芯片快速减薄到一定厚度，研磨后芯片厚度值为120±5μm，此步骤大约耗时15min。430μm15min120μm

研磨减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：修盘每次研磨前需使用油石将钻石砂轮修整一遍。此动作意义类似于切菜的前磨刀。

研磨减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：归零归零实际是设置研磨起始点，归零又分为手动归零和自动归零。

研磨减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：研磨砂轮高速自转（1050rpm）并以一定的规律进给将芯片减薄到指定厚度。

抛光减薄上蜡研磨抛光卸片清洗定义：如果说研磨是快速减薄的过程，抛光则是一个缓慢减薄的过程，同时使芯片表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面。

研磨减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：镶盘将锡盘上均匀布满钻石液的过程。

抛光减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：抛光通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄芯片。

卸片减薄上蜡研磨抛光卸片清洗定义：将减薄后的芯片从陶瓷盘上卸下来的过程。

卸片减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：浸泡将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加热浸泡5min左右，使芯片从陶瓷上剥离。

卸片减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：夹取用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取过程中需非常小心。

清洗减薄上蜡研磨抛光卸片清洗定义：使用一定的化学试剂通过水浴浸泡，QDR冲洗的方式将芯片上蘸有的残蜡清洗干净。

清洗减薄上蜡研磨抛光卸片清洗步骤：去蜡液—ACE—IPA—QDR—IPA—烘干

划片定义划片:是采用激光切割与劈刀裂片配合的方式，将连在一起的管芯分割开来划片

贴片定义：使用蓝膜或白膜将减薄后芯片固定的过程。划片贴片切割裂片倒膜扩张

贴片步骤：准备工作用IPA加至无尘布上擦拭chuck表面和滚轮。把vacuum开至off。减薄后80μm芯片很脆弱，需要注重每一个细节。划片贴片切割裂片倒膜扩张

贴片步骤：取片把贴片机vacuum开至off处。小心将贴好的芯片取下。划片贴片切割裂片倒膜扩张

贴片步骤：贴片放铁环，需注意对准卡栓，用平口镊子夹取芯片，放片时芯片正面朝上，使用白膜粘住芯片。划片贴片切割裂片倒膜扩张

切割划片贴片切割裂片倒膜扩张使用激光在芯片背面，沿切割道划片。不同尺寸芯片，划片深度不一，深度区间为25至40μm之间。注意：并未将芯片划穿。

裂片划片贴片切割裂片倒膜扩张在芯片正面（激光划芯片背面），沿着激光划片的痕迹使用裂片机将管芯完全分离开。

倒膜定义：将完全分离的管芯由正面贴膜翻转成背面贴膜。划片贴片切割裂片倒膜扩张

倒膜划片贴片切割裂片倒膜扩张步骤：去杂质将切割与劈裂过程中产生的一些碎屑杂质粘掉。

倒膜划片贴片切割裂片倒膜扩张步骤：贴膜剪一方形蓝膜(大小为20cm*20cm，长宽误差不大于2cm)，将Wafer背面贴于蓝膜中间位置

倒膜划片贴片切割裂片倒膜扩张步骤：加压蓝膜在下，白膜在上放于倒膜机加热平台