常用的第三代热管理材料的导热性能分析研究 高分子材料学专业.docxVIP

第1章绪论

1.1研究背景

随着微电子技术和集成电路工艺的不断进步，微电子器件的集成度、封装密度和工作频率迅速提高，导致功率与体积的比值日益增大、电子元器件的热流密度急剧增加。目前，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在服役过程中所产生的热流密度已超过200W/cm2；大功率LED芯片在照明过程中的热流密度甚至高达400W/cm2；未来全数字雷达T/R组件的热流密度甚至将超过500W/cm2。这些高功率密度电子元器件的芯片主要是半导体材料，如硅、砷化镓、碳化硅和氮化镓等。最常用的硅基半导体元件的正常工作温度较低，并且半导体元件的PN结温每增加10℃，其可靠性下降60%，直接影响半导体元件的能耗比、灵敏度和噪声系数等性能[1]。另外，根据电子设备可靠性统计，电子元器件失效超过55%是由于温度过高所导致[2]。因此，高热流密度散热问题成为电子元器件热管理的新挑战。

电子元器件常用的传统热管理材料主要有铝、铜以及铜合金等，如钨铜、钼铜和硅铝等[3]，它们虽然具有高热导率，但是因为它们与电子元器件材料的热膨胀系数存在显著差异，所以高温服役时往往会导致元件和热管理材料间的界面处产生热应力集中，往往导致界面破坏。为了缓解热膨胀系数失配引起的应力集中，低热膨胀的金属（钨、钼等）与铜的合金材料被广泛应用，这些合金材料具有较高的热导率，并拥有较低的热膨胀系数，可以与半导体材料的热膨胀系数相匹配，可以满足大功率密度半导体元器件的散热需求；但是，它们的密度较高，很难满足航天航空、国防军工等领域对电子设备的轻量化要求。因此，轻量化和低热膨胀的硅铝或碳硅铝复合材料被大量研究，但是它们的导热性能很难满足未来大热流密度高功率电子元器件的热管理需求。

目前，为解决大热流密度电子元器件的散热问题，迫切需要开发出高导热、低膨胀和轻量化的先进热管理材料。目前，已知高导热和低密度的材料主要为高性能碳材料[4-7]，其中金刚石材料最引人关注，如工业界广泛使用的化学气相沉积（CVD）高品质金刚石，它是一种各向同性材料，其热扩散系数2.8~11.6cm2/s，导热系数高达2200W/(m?K)[8]；但是，金刚石是自然界中已知最硬材料之一，机加工难，并且大尺寸金刚石制品成本高昂。另外，低硬度的热解石墨（Pyrolyticgraphite，TPG）是一种热导率各向异性的材料，但是室温下其XY面内热扩散系数可达9.54cm2/s，面内热导率高达1840W/(m?K)，而法向热导率仅为10~25W/(m?K)[9]，并且大尺寸TPG可以实现低成本制造。虽然TPG材料在热管理领域中拥有广泛的应用前景，但关于TPG热管理材料的研究尚少。因此，开发出高导热、轻量化的TPG热管理材料，对航天航空、电力电子、和国防军工等领域的高功率密度电子元器件的应用有着重要意义。

1.2先进热管理材料

随着大功率电子元器件的广泛使用，电子产品工作时的焦耳热效应对产品可靠性的影响越来越显著，已经成为热管理领域的研究重点。热管理材料是解决这一问题的重要方法，它能够更高效地传导电子产品工作时产生的额外热量，改善电子产品可靠性，预防元器件热失效的产生。

为满足功率密度日益增长的电子元器件的热管理需求，热管理材料必须具备以下主要特性：

（1）高导热，快速传导热量；

（2）低热膨胀系数，匹配半导体或芯片材料的热膨胀系数；

（3）适中的刚度和良好的气密性，保障电子元器件工作时的可靠性。

热管理材料专家CarlZweben博士将热管理材料按导热性能强弱分为三代：第一代热管理材料，又称为传统热管理材料，主要包括热导率低于金属铜、铝的高导热和高密度的合金材料，如钼铜、钨铜和Invar合金等；第二代和第三代热管理材料统称为先进热管理材料，在材料种类上没有明确的区别，一般按照热导率的高低区别他们的不同。第二代热管理材料主要包括热导率k满足300≤k≤400W/(m?K)的导热材料，如短切碳纤维或泡沫碳增强金属基复合材料和碳纤维增强碳化硅复合材料等；第三代热管理材料泛指热导率大于400W/(m?K)的高性能热管理材料，如表1-1所列[10]。

近年来，高导热碳材料已成为了高性能材料领域的研究热点，如碳纳米管、石墨烯、金刚石和碳纤维等，同时也促进了先进热管理材料的快速发展，其中金刚石热管理材料和高性能石墨热管理材料的性能指标得到广泛关注。

表1-1常用的第三代热管理材料的导热性能[10]

1.2.1金刚石热管理材料

金刚石拥有独特的晶体结构和电子结构，因此它具备先进高性能热管理材料所要求的优异热学性能：高热导率k（900＜k＜2200W/(m?K)）、低热膨胀系数α（α≤1.0×10-6K-1）、高电阻率和低介电常数。然而，不同种类金刚的导热性能差异很大。早期，由于高导热天然Ⅱa