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Hf0.5Zr0.5O2基FeFET的电离辐射总剂量效应研究.doc

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    Hf0.5Zr0.5O2基FeFET的电离辐射总剂量效应研究

    摘要：在各类存储器中，铁电存储器具有读写速度快、读写功耗低以及非易失性等优点，在存储器市场中占有重要的一席。自2011年报道的HfO2薄膜具有铁电性以来，研究者对以HfO2铁电材料作为存储介质的铁电存储器进行了大量的研究。HfO2基铁电薄膜具有与CMOS工艺高度兼容、high-k特性、更低的极限物理厚度、无铅污染等优势，使其能完美的融入工艺节点技术中，为下一代新型存储器的研究发展提供了新的路径。同时，铁电存储器的一个重要用途是作为抗辐射存储器，我们所说的辐射主要来源于空间辐射环境和核爆炸辐射

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