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电子科技大学微电子器件习题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填入括号内）

1.在本征半导体中，掺入三价元素后，主要产生的载流子是：

(a)电子(b)空穴(c)正离子(d)负离子

2.PN结加正向电压时，其空间电荷区的宽度将：

(a)变宽(b)变窄(c)不变(d)零

3.理想二极管正向压降约为0.7V是指其工作在：

(a)开路状态(b)短路状态(c)正向导通状态(d)反向截止状态

4.在双极结型晶体管（BJT）中，共发射极连接方式下，电流放大系数β主要取决于：

(a)基区宽度(b)发射区掺杂浓度(c)集电区掺杂浓度(d)载流子寿命

5.MOSFET工作时，其栅极与沟道之间必须存在：

(a)电压差(b)电流通路(c)热电子注入(d)电荷积累

6.当MOSFET工作在饱和区时，其输出特性曲线上的电流主要由哪个参数决定：

(a)栅源电压VGS(b)漏源电压VDS(c)跨导gm(d)饱和电流IDSS

7.对于N沟道增强型MOSFET，要使其开启，其栅源电压VGS必须：

(a)大于零且大于阈值电压VT(b)小于零且小于阈值电压VT(c)大于零且小于阈值电压VT(d)小于零且大于阈值电压VT

8.温度升高，一般会导致二极管的正向压降：

(a)增大(b)减小(c)不变(d)先增大后减小

9.双极结型晶体管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况通常是：

(a)发射结反偏，集电结正偏(b)发射结正偏，集电结反偏(c)发射结和集电结均反偏(d)发射结和集电结均正偏

10.MOSFET的输出电阻与其工作区域有关，通常在：

(a)截止区最大(b)饱和区最大(c)可变电阻区最小(d)零偏置时最小

二、填空题（每小题2分，共20分。请将答案填入横线上）

1.半导体中的两种载流子是______和______。

2.PN结两端外加正向电压时，耗尽层宽度______。

3.稳压二极管正常工作时的偏置状态是______。

4.双极结型晶体管的电流放大系数α定义为______。

5.MOSFET根据导电沟道类型可分为______型和______型。

6.MOSFET的三个工作区域通常称为______区、______区和______区。

7.温度升高，理想PN结的反向饱和电流将______。

8.MOSFET的阈值电压VT主要取决于______浓度、______浓度和______。

9.共发射极连接的BJT，其输入电阻和输出电阻通常______。

10.影响MOSFET跨导gm的主要因素有______、______和______。

三、简答题（每小题5分，共20分）

1.简述漂移电流和扩散电流的形成机制及其在PN结中的作用。

2.说明双极结型晶体管（BJT）实现电流放大的内部物理过程。

3.比较增强型MOSFET和耗尽型MOSFET在结构和工作原理上的主要区别。

4.简述温度对MOSFET阈值电压和跨导的影响机制。

四、计算题（每小题10分，共30分）

1.一个理想二极管电路如题图所示（此处无图，假设为简单的串联或并联电路），已知输入电压vi=10sin(ωt)V，二极管为硅材料，正向压降忽略不计，反向截止。试画出输出电压vo随时间变化的波形，并标明关键电压值。

2.某放大电路中使用的BJT，其参数为：β=100，ICBO=1μA。当基极电流IB=20μA时，计算集电极电流IC和发射极电流IE。若该BJT工作在放大区，其发射结正向压降VBE≈0.7V，集电极-发射极电压VCE=5V，试估算其小信号交流电流放大系数rπ（假设rπ=β/(β+1)）。

3.一个N沟道增强型MOSFET，其阈值电压VT=1V，工作在饱和区。已知其栅源电压VGS=3V，漏源电压VDS=2V，跨导gm=1mA/V。试计算其饱和漏极电流ID。若此时VGS增大到4V，其他条件不变，ID将如何变化？（无需计算具体数值，只需定性说明）

五、分析题（共10分）

分析一个简单的共发射极放大电路（无图，描述其基本构成），说明该电路如何实现电压放大。请阐述其中涉及的主要器件（如BJT）的工作原理，以及影响其电压放大倍数的主要因素有哪些。

试卷答案

一、选择题

1.(b)

2.(b)

3.(c)

4.