半导体物理基础：载流子输运理论all.docxVIP

PAGE1

PAGE1

半导体中的载流子输运

1.载流子浓度与费米能级

在半导体中，载流子（电子和空穴）的浓度与费米能级密切相关。费米能级（EF

1.1费米-狄拉克分布

费米-狄拉克分布函数fE描述了在给定能量E

f

其中：-E是能级能量-EF是费米能级-kB是玻尔兹曼常数-T

在半导体中，电子浓度n和空穴浓度p分别表示为：

n

p

其中：-EC是导带底能量-EV是价带顶能量-g

1.2本征载流子浓度

在本征半导体中，电子浓度等于空穴浓度，称为本征载流子浓度ni

n

其中n0和p0

2.载流子的迁移率

载流子的迁移率μ是描述载流子在电场作用下运动速度与电场强度关系的物理量。迁移率定义为：

μ

其中：-vd是载流子的漂移速度-E

2.1迁移率的影响因素

迁移率受到多种因素的影响，包括温度、杂质浓度、晶格结构等。在简化的模型中，迁移率可以通过以下公式近似：

μ

其中：-e是电子电荷-τ是载流子的平均散射时间-m*

2.2迁移率的计算

迁移率可以通过实验测量或理论计算得到。以下是一个简单的Python代码示例，用于计算硅（Si）在不同温度下的电子迁移率：

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义常数

e=1.602e-19#电子电荷(C)

m_e=9.109e-31#电子质量(kg)

m_star_e=0.26*m_e#硅中电子的有效质量(kg)

tau=1e-13#平均散射时间(s)

#温度范围(K)

temperatures=np.linspace(300,800,100)

#计算迁移率

defcalculate_mobility(temperature):

return(e*tau)/(m_star_e*np.sqrt(temperature))

#生成迁移率数据

mobilities=[calculate_mobility(T)forTintemperatures]

#绘制迁移率随温度变化的图

plt.figure(figsize=(10,6))

plt.plot(temperatures,mobilities,label=ElectronMobilityinSi)

plt.xlabel(Temperature(K))

plt.ylabel(Mobility(m^2/Vs))

plt.title(ElectronMobilityinSiliconasaFunctionofTemperature)

plt.legend()

plt.grid(True)

plt.show()

3.漂移和扩散

在半导体中，载流子的输运机制主要分为漂移和扩散两种。

3.1漂移

漂移是指在外部电场作用下，载流子的定向运动。漂移电流密度J可以表示为：

J

其中：-q是电子电荷-n和p分别是电子和空穴的浓度-μn和μp

3.2扩散

扩散是指由于载流子浓度梯度引起的载流子运动。扩散电流密度J可以表示为：

J

J

其中：-Dn和Dp分别是电子和空穴的扩散系数-dndx

4.连续性和泊松方程

在半导体中，载流子的输运需要满足连续性和泊松方程。

4.1连续性方程

连续性方程描述了载流子浓度随时间和空间的变化。对于电子和空穴，连续性方程分别为：

?

?

其中：-Gn和Gp分别是电子和空穴的生成率-Rn和

4.2泊松方程

泊松方程描述了电势V与电荷分布的关系：

?

其中：-?是介电常数-ND和NA

5.载流子输运的数值模拟

在实际应用中，载流子输运的数值模拟是非常重要的。以下是一个简单的Python代码示例，用于模拟一维半导体中的载流子浓度分布：

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义常数

q=1.602e-19#电子电荷(C)

epsilon=11.7*8.854e-12#硅的介电常数(F/m)

L=1e-6#器件长度(m)

N_D=1e16#施主浓度(m^-3)

N_A=1e15#受主浓度(m^-3)

dx=1e-8#空间步长(m)

dt=1e-12#时间步长(s)

D_n=36#电子扩散系数(cm^2/s)

D_p=12#空穴扩散系数(cm^2/