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半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（9）.电迁移与热效应的关系.docx

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    电迁移与热效应的关系

    在半导体器件可靠性分析中，电迁移（Electromigration,EM）是一个重要的因素，它直接影响着器件的寿命和性能。电迁移是指当电流通过金属互连线时，由于电子的动量传递给金属原子，导致金属原子的定向迁移现象。这种迁移会导致金属互连线的微观结构变化，从而影响其电性能和可靠性。而热效应则是另一个关键因素，它不仅影响互连线的温度分布，还会进一步影响电迁移现象。因此，理解电迁移与热效应之间的关系对于半导体器件的设计和可靠性评估至关重要。

    电迁移的基本原理

    电迁移是指在高电流密度下，金属互连线中的金属原子在电子流的作用下发生迁移的现象

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