半导体物理基础：半导体能带理论_12.半导体的n型和p型掺杂.docxVIP

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12.半导体的n型和p型掺杂

12.1掺杂的基本概念

在半导体材料中，掺杂是指有意引入特定类型的杂质原子，以改变半导体的电学性质。这些杂质原子通常来自与半导体材料同周期表相邻的元素，它们的引入可以显著地改变半导体的导电性。掺杂的主要目的是为了提高半导体的载流子浓度，从而改善其电学性能，使其适用于各种电子器件，如晶体管、二极管和太阳能电池等。

12.1.1掺杂的目的

提高导电性：通过引入杂质原子，可以显著增加半导体中的自由载流子（电子或空穴）浓度，从而提高其导电性。

控制掺杂浓度：根据不同器件的设计需求，可以精确控制掺杂浓度，以获得所需的电学特性。

形成pn结：n型和p型半导体的结合可以形成pn结，这是许多半导体器件如二极管和晶体管的基本结构。

12.1.2掺杂类型

半导体掺杂主要分为两种类型：n型掺杂和p型掺杂。

n型掺杂：引入的杂质原子比半导体材料多一个价电子，这些额外的电子可以成为自由电子，从而增加半导体的电子浓度。

p型掺杂：引入的杂质原子比半导体材料少一个价电子，这些缺失的电子会形成空穴，从而增加半导体的空穴浓度。

12.2n型掺杂

12.2.1n型掺杂的原理

n型掺杂是指在半导体材料中引入五价元素（如磷、砷、锑等）作为杂质原子。这些杂质原子比半导体材料多一个价电子，多余的电子容易脱离杂质原子并成为自由电子，从而增加半导体中的电子浓度。这些自由电子作为主要载流子，使得半导体具有负电导率（n型）。

12.2.2n型掺杂的能带结构

在n型掺杂的半导体中，杂质能级通常位于禁带的下部，接近导带。当半导体材料被掺杂时，杂质原子的额外电子会填充到杂质能级中。由于这些能级非常接近导带，电子很容易通过热激发跃迁到导带，成为自由电子。因此，n型掺杂半导体的导电性主要由这些自由电子决定。

12.2.3n型掺杂的实例

12.2.3.1磷掺杂硅

磷是一种常用的n型掺杂剂，用于硅半导体。磷原子比硅原子多一个价电子，这些多余的电子会填充到磷的杂质能级中，然后通过热激发跃迁到硅的导带。

#模拟磷掺杂硅的能带结构

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义能带参数

E_c=0.0#导带底

E_v=-1.12#价带顶

E_d=-0.05#磷杂质能级

#温度范围

T=np.linspace(300,400,100)#单位：K

#计算电子浓度

defelectron_concentration(T,E_d,E_c,N_d):

k=8.617e-5#波尔兹曼常数，单位：eV/K

returnN_d*np.exp((E_d-E_c)/(k*T))

#掺杂浓度

N_d=1e15#单位：cm^-3

#计算电子浓度

n=electron_concentration(T,E_d,E_c,N_d)

#绘制电子浓度随温度变化的曲线

plt.figure(figsize=(10,6))

plt.plot(T,n,label=ElectronConcentration(n))

plt.xlabel(Temperature(K))

plt.ylabel(ElectronConcentration(cm^-3))

plt.title(ElectronConcentrationinPhosphorus-DopedSilicon)

plt.legend()

plt.grid(True)

plt.show()

12.2.4n型掺杂的影响

导电性增强：n型掺杂显著增加了半导体中的自由电子浓度，从而提高了其导电性。

费米能级：在n型掺杂半导体中，费米能级靠近导带底，这使得电子更容易跃迁到导带。

电阻率降低：由于自由电子的增加，半导体的电阻率降低，导电性增强。

12.3p型掺杂

12.3.1p型掺杂的原理

p型掺杂是指在半导体材料中引入三价元素（如硼、铝、镓等）作为杂质原子。这些杂质原子比半导体材料少一个价电子，形成空穴。这些空穴可以接受来自价带的电子，从而增加半导体中的空穴浓度。空穴作为主要载流子，使得半导体具有正电导率（p型）。

12.3.2p型掺杂的能带结构

在p型掺杂的半导体中，杂质能级通常位于禁带的上部，接近价带。当半导体材料被掺杂时，杂质原子会形成空穴，这些空穴可以通过接受来自价带的电子而跃迁到杂质能级。因此，p型掺杂半导体的导电性主要由这些空穴决定。

12.3.3p型掺杂的实例

12.3.3.1硼掺杂硅

硼是一种常用的p型掺杂剂，用于硅半导体。硼原子比硅原子少一个价电子，形成空穴。