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碳纳米管引领无掺杂高性能CMOS变革：原理、突破与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1CMOS器件和集成电路发展现状

自晶体管发明以来，互补金属氧化物半导体（CMOS）技术凭借其低功耗、高集成度和良好的兼容性等优势，成为现代集成电路的主流技术，广泛应用于计算机、通信、消费电子等众多领域。在过去的几十年中，CMOS技术遵循摩尔定律不断发展，晶体管尺寸持续缩小，集成度不断提高，性能也得到了显著提升。

随着晶体管尺寸进入纳米尺度，传统硅基CMOS技术面临着诸多严峻挑战。一方面，当晶体管尺寸缩小到一定程度时，量子效应逐渐显著，如短沟道效应、漏电流增加等问题日益突出，严重影响