集成电路设计中电阻与电容特性分析.pdfVIP

加利福尼亚大学工学院电气工程与计算机科学系

E.Alon作业#1EECS240

（星期四）截止

在所有作业和项目中使用EECS2400.18μmCMOS工艺，除非另有说明。SPICE模型及运行仿真器的说明可在课程

上找到。

1.我们在工艺中制造的每个电阻器都会带有一定的寄生电容。正如我们在课堂上将看到的，

将电阻器的宽度尽可能做小可以减小其寄生电容。然而，在某些应用中（例如用于端接的电阻器或

用于ESD保护的镇流电阻器），电阻器不仅需要具有特定的阻值，还必须能够承受一定量的电流。

为了确保电阻器在多年使用中能够可靠地工作，通常对其单位宽度允许通过的电流有一个最制——

例如，当前许多CMOS工艺中的金属层的额定电流为1mA/μm。

a.假设你需要一个阻值为R的电阻器，其流过的电流为I。已知电阻器的可靠性限制要求

specspec

电流密度超过Imax（单位为A/m），那么该电阻器需要多宽和多长？你可以假设该电阻器

由块电阻为R（单位为Ω/□）的材料构成。b.根据a部分的，忽略边缘电场，并假

sq

2

设该电阻器与衬底之间的寄生平行板电容密度为C（单位为F/m），该电阻器的RC时间常数

par

与R和Ispec之间有何关系？

spec

2.在本题中，研究在我们采用的6层金属工艺中MOM电容的设计。除非另有说明，你应该

假设所有金属层的厚度T为0.6μm，最小宽度W为0.25μm，最小水平间距S为0.25μm，垂

2

直间距H为0.6μm，并且绝缘层为SiO。你可以假设金属最低层与衬底之间的距离也为H0.

6μm，并且层间通孔的宽度与所连接的金属线相同。为简化计算，你可以忽略所有这些计算中的

边缘电场。

2

a.使用简单的水平平行板，你能够实现的最大电容密度（单位为fF/μm）？此时电容

与底板寄生电容的比值？b.使用垂直平行板，你能够实现的最大电容密度（仍为

2

fF/μm）？此时电容与底板寄生电容的比值又？c.现在我们尝试通过移除金属

最低层来降低垂直平行板MOM电容的相对底板寄生电容。在什么T、W、S和H的条件下，移

除金属最低层后，寄生底板电容与主电容的比值会得到改善？

3.在本题中，你将需要运行HSPICE（或你最的任何其他仿真器）。对于其中某些问题，你

应器件参数，例如g或V——在HSPICE中，你可以使用如下语句这些参数：

mTH

.printm1_vthpar(lv9(m1))

（你可以在HSPICE手册中找到你可能想查看的各种晶体管参数名称，该手册可以从教学用计算机问