基于AllNTM功率集成电路高电压氮化镓开关技术研究.pdfVIP

650VAllGaNTM功率IC

适用于电源应用

MarcoGiandalia,JasonZhang,TomRibarichNavitasSemiconductorsElSegundo,

California,USA邮箱:marco.giandalia@,jason.zhang@,

tom.ribarich@

—市场上首批高电压氮化镓（GaN）开关采用的是耗尽

型HEMT（dModeFET）技术。这需要一个复杂的栅极驱动器

来管理负阈值电压，或者使用级联配置的低压FET。由于缺乏对

GaN开关的直接控制以及需要昂贵的多封装，导致了GaN功

率级在离线应用中的采用延迟[1]。

截至目前，增强型GaNHEMT（eModeFET）与驱动器和

逻辑电路的单片集成可以显著提升驱动性能，降低传输延迟，提

高关断速度，减少开关损耗，同时还能使用更小的磁性元件和电

容器。

AllGaNTM电源平台将SMPS开关频率提高了整整

一个数量级，从而在软开关或谐振拓扑（如CrCMPFC和LLC）图1：零损耗500V开关

中实现了创新架构，同时提高了系统效率和功率密度。一个500V、1MHz的半桥输出波形（图1）展示了平

滑的转换过程，无振铃和过冲现象。该半桥驱动一个LC输

出负载，在50%占空比下产生对称的三角形电流波形。低

I.引言COSS使得快速转换成为可能，而与之不同的是超级结硅器

在过去十年中，GaNFET在用作简单的替代Si器件时，OSSDS

件（其C在低V时急剧增加），氮化镓器件在转换开始

其性能提升非常有限。最初，这些器件仅限于dMode类型，或结束时均无电压上升缓慢的现象。高边和低边氮化镓场

具有固有的常开特性和负阈值。通常，会将一个低压Si效应晶体管在最初作为同步整流器以循环利用谐振电感中

FET以级联结构连接，从而在一定程度上简化了栅极驱动的能量后，均可实现零电压开通。图中低边场效应晶体管

器设计。然而，这种结构需要更复杂的封装来将高压GS

的栅极波形表明其关断损耗为零。栅极电压V降至零，使

GaNFET和低压SiFET集成在同一封装中。在GaN与DS

沟道完全关闭，然后漏极电压V才开始上升。因此，场效

Si之间的互连、与引线框架之间的互连，以及较应晶体管在关断后的唯一电流是电容充电电流，该电流所

大的栅极、源极和漏极封装引脚中，都存在寄生电感。此的能量几乎完全在开关周期的下一阶段中得以恢复。

外，可能还需要在封装中增加额外的无源元件以降低噪声

并调整器件的电容比。创新的拓扑结构充分挖掘了氮化镓（GaN）的全部潜力，

而不会给系统带来显著的复杂性。通过在适当的软开关电路

早期的氮化镓(eMode)