相变存储器热学与阵列可靠性模型构建及关联研究.docx

相变存储器热学与阵列可靠性模型构建及关联研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆发式增长，对存储技术的要求也日益严苛。存储器作为数据存储与处理的关键部件，其性能直接关乎计算机系统、移动设备、数据中心等众多领域的运行效率与可靠性。相变存储器（PhaseChangeMemory，PCM）作为一种极具潜力的新型非易失性存储器，凭借其独特的优势，在存储领域崭露头角，正逐渐成为研究与应用的焦点。

相变存储器利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时表现出的导电性差异来存储数据。这种存储方式赋予了相变存储器诸多传统存储器难以企及的特性，如快速读写、低功耗、高耐久性、可