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低压氧化物薄膜晶体管：原理、进展与挑战的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，电子设备正朝着小型化、轻量化、多功能化以及低功耗的方向不断迈进。在这一进程中，低压氧化物薄膜晶体管（OxideThin-FilmTransistors，OxideTFTs）凭借其独特的性能优势，逐渐在现代电子领域占据了重要地位。

从发展历程来看，薄膜晶体管自20世纪60年代诞生以来，经历了从硅基薄膜晶体管到氧化物薄膜晶体管的技术变革。早期的硅基薄膜晶体管虽然在性能上有一定优势，但其高成本和不透光特性限制了应用范围。直到2003年，透明氧化锌薄膜晶体管的研制成功，