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外延工艺在集成电路制造产业中的应用
外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格
排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层
(SiGe/Si或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延
(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATMRPEpi)等等。
本文仅介绍广泛应用于半导体集成电路生产中衬底为硅材料的硅(Si)和锗硅
(SiGe)外延工艺。
根据生长方法可以将外延工艺分为两大类(表1)：全外延(Bla
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