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4F2与CBA是国产DRAM大趋势.pptx

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    DRAM存在迭代瓶颈，4F2方案提供新路径。随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺面临诸多瓶颈，如工艺完整性、漏电、干扰等问题。4F2方案作为通向3DDRAM新路径，采用垂直晶体管构建，预计0a节点后量产，有望大幅提升DRAM存储密度，解决现有技术难题，为行业发展带来新机遇。4F2架构：存储单元结构创新，将晶体管与电容器垂直堆叠，从而突破传统平面架构的限制。10nm代际之前，6F2是DRAM的主要方案，目前DRAM正逐步向4F2演变。与传统的8F2和6F2架构相比，4F2架构将源极、栅极、漏极从水平改为垂直放置，在相同硅片面积内能够集成更多的存储单元，从而大幅提升存储密度。4F

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