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青岛海宜丰电力电子有限公司产品说明书
电力半导体晶闸管模块说明书
一、特性
1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。
2、通态压降低,功耗小。
3175
、高温℃下反向漏电流小。
4、浪涌电流能力强。
5、塑料灌封结构,安装方便,可靠性高。
6、热性能好。
二、质量等级
1JPJTGJB33A-97
、企军标、:
2GQZJ840611A
、七专:
3JQZJ840611A
、普军:
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