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北京工业大学半导体物理考研真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.下列哪种材料通常被认为是本征半导体？

A.硅（Si）

B.砷化镓（GaAs）

C.硼（B）

D.磷（P）

2.在半导体中，载流子的产生主要是由以下哪个过程引起的？

A.杂质掺入

B.激光照射

C.热激发

D.电场作用

3.当P型半导体和N型半导体结合形成P-N结时，耗尽层主要存在于哪里？

A.P区和N区的内部

B.P区和N区的交界面

C.P区的内部

D.N区的内部

4.半导体材料的禁带宽度主要取决于以下哪个因素？

A.晶体的取向

B.晶格常数

C.元素的种类

D.外加电场

5.在理想P-N结的正向偏置下，下列哪个说法是正确的？

A.耗尽层变宽

B.耗尽层变窄

C.内建电场增强

D.内建电场减弱

二、填空题

1.半导体中，电子从价带跃迁到导带所需的最小能量称为__________。

2.载流子在电场作用下的定向运动称为__________。

3.半导体中，能带理论认为，电子只能占据_______________的能级。

4.P-N结未加偏置时，结区两侧存在的电场称为_______________。

5.当半导体的温度升高时，其本征载流子浓度__________。

三、简答题

1.简述能带形成的物理机制。

2.解释什么是内建电场，并说明其方向。

3.简述杂质对半导体能带结构的影响。

四、计算题

1.一个本征硅半导体的禁带宽度为1.12eV。计算在300K时，硅中电子和空穴的浓度。

2.一个P-N结的P区掺杂浓度为NA=1x10^19cm^-3，N区掺杂浓度为ND=1x10^21cm^-3。假设电子和空穴的迁移率分别为μn=1400cm^2/V·s和μp=450cm^2/V·s。计算该P-N结的内建电场和耗尽层宽度（假设忽略表面复合）。

五、论述题

简述半导体的P-N结在外加反向偏置电压作用下的工作原理，并分析其电流-电压特性。

试卷答案

一、选择题

1.A

2.C

3.B

4.C

5.B

二、填空题

1.禁带宽度

2.漂移

3.分立

4.内建电场

5.增加

三、简答题

1.解析思路：能带形成的物理机制主要源于原子能级的简并和晶格相互作用。单个原子具有分立的能级，但在晶体中，大量原子排列成晶格，原子间的相互作用导致原子能级分裂成能带。由于泡利不相容原理，同一能带中相邻的能级被电子填满，形成不满或满带，不满和满带之间存在禁带。

2.解析思路：内建电场是P-N结未加偏置时，由于P区空穴浓度高于N区电子浓度，导致P区电势高于N区电势而产生的电场。其方向由P区指向N区，用于将P区的空穴和N区的电子推向耗尽层，形成耗尽层内建电场。

3.解析思路：杂质掺入会改变半导体的能带结构。施主杂质（如磷P）会引入一个靠近导带的能级，使导带底降低，增加电子浓度。受主杂质（如硼B）会引入一个靠近价带的能级，使价带顶升高，增加空穴浓度。

四、计算题

1.解析思路：根据本征载流子浓度公式ni=sqrt(Nc*Nv*e^(-Eg/(kT)))，其中Nc和Nv分别为导带和价带的有效态密度，Eg为禁带宽度，k为玻尔兹曼常数，T为温度。由于硅是本征半导体，n=p=ni。计算得到ni≈1.03x10^10cm^-3。因此，n=p=1.03x10^10cm^-3。

2.解析思路：内建电场E0=(kT/q)*ln((ND*NA)/(ni^2))，其中q为电子电荷量。代入数据计算得到E0≈0.026V。耗尽层宽度W=sqrt(2*ε*(VA/q)*(1/NA+1/ND))，其中ε为硅的介电常数，VA为P区和N区的面积。假设VA=1cm^2，代入数据计算得到W≈2.2x10^-5cm。

五、论述题

解析思路：P-N结在外加反向偏置电压作用下，P区接负极，N区接正极，外电场方向与内建电场方向相同，共同作用将耗尽层扩展。耗尽层变宽，势垒升高，多数载流子很难越过势垒，导致反向电流很小，理想情况下视为零。但少数载流子在漂移作用下形成微弱的反向饱和电流。当反向电压超过一定值时，耗尽层击穿，反向电流急剧增大。