N型金属诱导横向结晶TFT在交直流应力下的退化机制与优化策略探究.docx

N型金属诱导横向结晶TFT在交直流应力下的退化机制与优化策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体器件的庞大体系中，薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）占据着举足轻重的地位，特别是N型金属诱导横向结晶TFT，因其独特的性能优势，在现代电子设备中广泛应用，如液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED）以及各类传感器等。其具备高载流子迁移率、良好的开关特性和稳定性，能够有效提升器件的性能和响应速度，为实现高分辨率、高刷新率的显示以及高精度的传感功能提供了关键支撑。

然而，在实际应用中，N型金属诱导横向结晶TFT不可避免地会受到交直流应力的作