光电探测器仿真：温度特性仿真_（7）.暗电流随温度变化特性仿真.docx

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暗电流随温度变化特性仿真

引言

在光电探测器的性能分析中，暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照的情况下，光电探测器产生的电流。这一电流的大小直接影响到探测器的灵敏度和噪声水平。暗电流的产生主要与探测器材料的本征缺陷和温度有关。因此，理解暗电流随温度变化的特性对于优化探测器的设计和性能至关重要。

暗电流的物理机制

暗电流主要由以下几种机制产生：

本征载流子生成：在探测器材料中，由于热激发，电子从价带跃迁到导带，产生自由电子和空穴。这一过程随温度增加而增强。

表面漏电：探测器表面的缺陷和不纯净区域会导致漏电，这也是暗电流的一个重要来源。

肖特基势垒：