2025 年大学微电子科学与工程（微电子器件）试题及答案.docVIP

2025年大学微电子科学与工程（微电子器件）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

一、单项选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填入括号内）

1.以下哪种半导体材料是目前大规模集成电路中最常用的？（）

A.硅

B.锗

C.碳化硅

D.氮化镓

2.对于PN结，当外加正向电压时，其电流主要是由（）形成的。

A.多子扩散

B.少子漂移

C.多子漂移

D.少子扩散

3.某MOSFET的阈值电压为2V，当栅源电压为3V时，该MOSFET处于（）状态。

A.截止

B.线性

C.饱和

D.击穿

4.集成电路制造中，光刻工艺的主要作用是（）。

A.定义器件的几何尺寸

B.掺杂杂质

C.形成金属互连

D.氧化硅生长

5.以下哪种效应会导致MOSFET的阈值电压随温度升高而降低？（）

A.热载流子效应

B.沟道长度调制效应

C.体效应

D.亚阈值摆幅效应

6.对于双极型晶体管，其电流放大倍数β主要取决于（）。

A.基区宽度

B.发射区掺杂浓度

C.集电区掺杂浓度

D.基区掺杂浓度

7.在CMOS反相器中，当输入为高电平时，（）晶体管导通。

A.PMOS

B.NMOS

C.两者都导通

D.两者都截止

8.半导体中的施主杂质会提供（）。

A.空穴

B.电子

C.既提供空穴也提供电子

D.不提供载流子

9.集成电路的特征尺寸是指（）。

A.晶体管的最小尺寸

B.芯片的边长

C.金属互连的宽度

D.氧化层的厚度

10.以下哪种工艺可以用于在半导体表面形成绝缘层？（）

A.光刻

B.掺杂

C.氧化

D.外延生长

二、多项选择题（总共5题，每题5分，每题有两个或两个以上正确答案，请将正确答案填入括号内，多选、少选、错选均不得分）

1.以下属于半导体器件物理中的基本效应的有（ABCD）

A.光电效应

B.热电效应

C.压阻效应

D.隧道效应

2.MOSFET的性能参数包括（ABCD）

A.阈值电压

B.跨导

C.漏源饱和电流

D.击穿电压

3.集成电路制造过程中涉及的主要工艺有（ABCD）

A.光刻

B.掺杂

C.氧化

D.金属化

4.双极型晶体管的工作区域包括（ABC）

A.截止区

B.放大区

C.饱和区

D.击穿区

5.半导体材料的特性包括（ABCD）

A.导电性介于导体和绝缘体之间

B.具有光电效应

C.具有热敏性

D.具有掺杂特性

三、判断题（总共10题，每题2分，判断下列说法的正误，正确的打“√”，错误的打“×”）

1.半导体的电阻率随温度升高而增大。（×）

2.PN结具有单向导电性，正向偏置时电流很大，反向偏置时电流很小。（√）

3.MOSFET的栅极电流为零。（√）

4.集成电路的集成度越高，性能越好。（√）

5.双极型晶体管的发射结正偏，集电结反偏时工作在放大区。（√）

6.半导体中的杂质浓度越高，导电性越好。（×）

7.光刻工艺的分辨率越高，能够制造的集成电路特征尺寸越小。（√）

8.CMOS电路比TTL电路功耗低。（√）

9.半导体器件的性能不会受到环境温度的影响。（×）

10.外延生长可以在半导体表面生长一层与衬底材料相同的单晶层。（√）

四、简答题（总共3题，每题10分，请简要回答下列问题）

1.简述PN结的形成过程及原理。

答：当P型半导体和N型半导体结合时，由于两者载流子浓度差异，P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散，在交界面形成空间电荷区，即PN结。空间电荷区产生的内电场阻止多子继续扩散，达到动态平衡。正向偏置时，内电场削弱，多子扩散形成较大电流；反向偏置时，内电场增强，少子漂移形成很小电流，体现单向导电性。

2.说明MOSFET的工作原理。

答：MOSFET由栅极、源极和漏极组成，栅极与衬底间有绝缘层。当栅源电压大于阈值电压时，在栅极下方的半导体表面形成反型层，即沟道。源极和漏极间通过沟道导电，改变栅源电压可控制沟道宽窄，从而控制漏源电流大小，实现对电流的开关和放大作用。

3.阐述集成电路制造中光刻工艺的重要性及主要步骤。

答：光刻工艺是集成电路制造的关键技术。重要性在于它能精确地将掩膜版上的图形转移到半导体表面，决定器件的几何尺寸和位置精度。主要步骤包括：涂胶，在半导体表面均匀涂覆光刻胶；曝光，用特定波长光照射掩膜版和光刻胶，使光刻胶发生光化学反应；显影，去除曝光部分光刻胶，得到与掩膜版图形一致