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光伏电池的异质结（HJT）技术效率提升

引言

在全球能源转型的大背景下，光伏发电作为清洁能源的核心支撑技术之一，正经历着从“补充能源”向“主力能源”的角色转变。提升光伏电池效率是降低度电成本、推动行业规模化应用的关键路径。异质结（HeterojunctionwithIntrinsicThinlayer，HJT）技术因其独特的结构设计和性能优势，近年来成为光伏领域的研究热点。与传统PERC（钝化发射极及背局域扩散）电池相比，HJT电池具有更高的理论效率极限、更优的温度系数和更简单的双面发电特性，被视为下一代主流光伏技术的重要候选。然而，当前HJT电池的实际量产效率与理论值仍存在差距，如何通过技术创新突破效率瓶颈，成为行业关注的核心命题。本文将围绕HJT技术效率提升的核心矛盾，从材料优化、工艺革新、结构创新等维度展开深入探讨。

一、HJT技术的基本原理与效率提升的核心矛盾

（一）HJT电池的结构特性与效率优势

HJT电池采用“非晶硅/晶体硅”异质结结构，其核心设计是在N型单晶硅片的正反两面依次沉积本征非晶硅薄层（i-a-Si:H）和掺杂非晶硅薄层（n+/p+-a-Si:H），形成PN结；随后在两侧覆盖透明导电氧化物（TCO）层，最后通过金属化工艺制备电极。这种对称的双面结构赋予了HJT电池三大天然优势：其一，本征非晶硅层通过氢钝化作用有效降低了晶体硅表面的悬挂键密度，显著减少载流子复合；其二，非晶硅与晶体硅的带隙差异形成了“载流子选择性传输”界面，电子和空穴可分别高效向正负电极移动；其三，低温工艺（最高温度不超过200℃）避免了传统高温工艺对硅片的损伤，为后续叠层结构设计留出空间。理论上，HJT电池的光电转换效率极限可达29%以上，远超PERC电池的24.5%左右的理论极限。

（二）当前效率提升的主要瓶颈

尽管HJT技术潜力巨大，但其实际量产效率（目前主流在24%-25%）与理论值仍有明显差距，核心矛盾集中在三个方面：

首先是界面复合问题。非晶硅层与晶体硅的界面处易存在未被完全钝化的悬挂键，以及非晶硅层内部的微结构缺陷（如硅氢键断裂），这些缺陷会成为载流子复合中心，降低少数载流子寿命。

其次是光学损失。非晶硅层对短波光（波长500nm）的吸收较强，导致部分光子未到达硅基底便被消耗；同时，TCO层的折射率与空气、硅片不匹配，可能引发界面反射损失。

最后是电学损失。掺杂非晶硅层的电导率较低，载流子在传输过程中易产生电阻损耗；金属电极与TCO层的接触电阻较高，尤其是银浆与TCO的界面可能存在“尖峰接触”问题，进一步降低电流收集效率。

二、材料体系优化：从核心层到辅助层的全链条升级

（一）本征非晶硅层的钝化性能提升

本征非晶硅层（i-a-Si:H）是HJT电池的“钝化核心”，其质量直接决定了界面复合水平。早期研究发现，传统射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）制备的i层存在氢含量不足、均匀性差等问题。通过优化沉积参数（如降低功率密度、提高氢稀释比例），可使i层中的氢含量从15%提升至20%以上，氢原子能够更有效地饱和硅悬挂键。此外，引入微晶硅化（μc-Si:H）改性技术，在i层中形成纳米级微晶结构，既能保持良好的钝化效果，又能提高层间致密度，减少后续工艺对界面的损伤。实验数据表明，优化后的i层可使硅片的少子寿命从2000μs提升至3000μs以上，对应电池开路电压（Voc）可提高10mV-15mV。

（二）掺杂非晶硅层的导电性与带隙调控

掺杂非晶硅层（n+/p+-a-Si:H）的主要作用是提供载流子并形成内建电场，但传统掺杂层存在电导率低（约10-3S/cm）、带隙较窄（约1.7eV）的问题，既限制了载流子传输，又增加了对短波光的吸收。通过引入“微晶硅掺杂层”技术，将非晶硅结构部分转化为微晶结构，电导率可提升至10-1S/cm，接近晶体硅水平。同时，调整掺杂元素（如磷掺杂n层、硼掺杂p层）的浓度和沉积温度，可将带隙拓宽至1.8eV-1.9eV，减少对短波光的吸收损失。例如，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）制备的微晶硅n层，其光吸收系数在400nm波长处比传统非晶硅层降低30%，对应短路电流（Jsc）可提升0.5mA/cm2以上。

（三）透明导电膜（TCO）的减反与导电平衡

TCO层需同时满足高电导率（降低串联电阻）和高透光率（减少光学损失）的要求。传统氧化铟锡（ITO）膜虽导电性优异（方阻约10Ω/□），但铟资源稀缺且对长波光（波长1000nm）的透过率不足。近年来，行业探索出两条优化路径：一是通过掺杂改性（如掺钨的氧化铟ITO:W、掺氟的氧化锡FTO）提升TCO的载流子浓度和迁移率，同时降低对长波光的吸收；二是采用多层膜结构（如ITO/ZnO双层膜），利用不同材料的折射率差异（ITO折射率约