带状过渡金属硫族化合物传感器件构筑及重金属离子检测的前沿探索.docxVIP

带状过渡金属硫族化合物传感器件构筑及重金属离子检测的前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今时代，工业化和城市化的迅猛发展在推动经济进步的同时，也带来了日益严峻的环境污染问题，其中重金属污染尤为突出，对生态环境和人类健康构成了严重威胁。重金属通常是指密度大于5g/cm3的金属，如铅（Pb）、汞（Hg）、镉（Cd）、铬（Cr）、砷（As）等。这些重金属具有显著的特性，它们在环境中难以自然降解，能够长期稳定存在，并且容易在生物体内不断富集，随着食物链的传递，其浓度逐渐升高，进而对人体产生多方面的危害。例如，铅会对人体的神经系统、血液系统和生殖系统造成损害，影响儿童的智力发育；汞能够引发神经系统紊乱、肾功能损害等严重后果；镉会导致骨质疏松、肾功能衰竭，还与癌症的发生存在关联。日本发生的水俣病，就是由于汞污染引发的，患者出现了神经系统症状，如肢体麻木、运动失调、语言障碍等，严重影响了生活质量甚至危及生命；骨痛病则是由镉污染引起，患者骨骼疼痛难忍，骨质脆弱易骨折，给患者带来了极大的痛苦。由此可见，重金属污染对人类健康和生态平衡的破坏不容小觑，对重金属离子进行精准、高效的检测显得极为关键。

目前，常用的重金属离子检测方法包括原子光谱法、电感耦合等离子体质谱法、色谱法、荧光光谱法、比色分析法、免疫分析法和电化学分析法等。然而，这些传统方法普遍存在一定的局限性。原子光谱法和电感耦合等离子体质谱法虽然具有较高的灵敏度和准确性，但仪器设备昂贵，操作过程复杂，需要专业的技术人员进行维护和操作，且分析时间较长，难以实现现场快速检测；色谱法需要对样品进行复杂的前处理，分析成本较高；荧光光谱法和比色分析法的选择性和灵敏度相对较低，容易受到其他物质的干扰；免疫分析法虽然具有较高的特异性，但抗体的制备过程繁琐，成本高昂，且稳定性较差。因此，开发一种快速、灵敏、准确、低成本且易于操作的重金属离子检测方法具有重要的现实意义和应用价值。

在众多新型材料中，带状过渡金属硫族化合物（TransitionMetalDichalcogenides，TMDs）因其独特的结构和优异的性能，在传感器件构筑方面展现出了巨大的优势和潜力，受到了广泛的关注。TMDs是一类由过渡金属（如钼Mo、钨W、铼Re等）与硫族元素（如硫S、硒Se、碲Te等）组成的化合物，其化学通式为MX?（M代表过渡金属，X代表硫族元素）。这类化合物具有典型的层状结构，层内原子通过强共价键相互连接，形成稳定的六边形晶格结构；而层与层之间则依靠较弱的范德华力相互作用。这种独特的结构赋予了TMDs许多优异的特性。从能带结构来看，与零带隙的石墨烯不同，大多数TMDs具有一定的固有带隙，且其带隙值与材料的层数密切相关。以二硫化钼（MoS?）为例，单层MoS?具有约1.8eV的直接带隙，而随着层数的增加，其带隙逐渐减小并转变为间接带隙。这种层数依赖的带隙特性，使得TMDs在半导体器件应用中具有显著优势，可用于构建高性能的场效应晶体管、光电探测器等。在光-物质相互作用方面，TMDs表现出卓越的特性。由于其原子层面的二维结构，TMDs具有较大的比表面积，使得光生载流子能够更高效地与外界相互作用。这一特性使得TMDs在光吸收和发射过程中具有较高的效率，可用于制备高性能的光电探测器、发光二极管等光电器件。研究表明，基于MoS?的光电探测器能够对可见光和近红外光产生快速响应。此外，TMDs还具有良好的电学性能、光学性能和机械性能等，这些特性使得它们在传感器领域具有广阔的应用前景。

将带状TMDs应用于传感器件构筑，有望克服传统重金属离子检测方法的不足。其较大的比表面积能够提供更多的活性位点，有利于与重金属离子发生特异性相互作用，从而提高检测的灵敏度；独特的电学和光学性质使得TMDs在与重金属离子结合后，其电学或光学信号会发生明显变化，可通过检测这些信号的变化实现对重金属离子的定量分析；而且，TMDs材料的制备成本相对较低，易于大规模制备，为开发低成本的重金属离子检测传感器提供了可能。因此，开展基于带状过渡金属硫族化合物的传感器件构筑与重金属离子检测研究，不仅能够丰富TMDs材料的应用领域，推动材料科学的发展，还能够为解决重金属污染问题提供新的技术手段和方法，具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

在材料制备方面，国内外科研人员针对带状过渡金属硫族化合物开展了大量研究。化学气相沉积法（CVD）是一种常用的制备方法，通过精确控制气态的过渡金属源和硫族元素源在高温和催化剂的作用下发生化学反应，在衬底表面沉积并生长出高质量的带状TMDs。例如，有研究团队利用CVD法成功制备出大面积、高质量的二硫化钼（Mo