（半导体制造工艺）工艺技术试题及答案.docVIP

2025年（半导体制造工艺）工艺技术试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体制造工艺中，光刻的主要作用是（）

A.定义器件结构B.掺杂杂质C.形成金属连线D.去除多余材料

答案：A

2.以下哪种材料常用于半导体制造中的栅极（）

A.硅B.二氧化硅C.多晶硅D.金属铜

答案：C

3.离子注入工艺的目的是（）

A.改变半导体材料的电学性能B.去除表面杂质C.提高材料纯度D.增强材料硬度

答案：A

4.化学气相沉积（CVD）可以用于（）

A.生长半导体薄膜B.光刻胶的去除C.芯片的切割D.杂质的扩散

答案：A

5.在半导体制造中，湿法刻蚀主要用于（）

A.去除特定区域的材料B.形成高深宽比结构C.提高材料的导电性D.降低材料的功耗

答案：A

6.半导体制造中，退火工艺的作用是（）

A.消除晶格缺陷B.增加杂质浓度C.提高光刻精度D.降低芯片功耗

答案：A

7.以下哪种光刻技术分辨率最高（）

A.紫外光刻B.极紫外光刻C.电子束光刻D.离子束光刻

答案：C

8.半导体制造中，外延生长工艺可以（）

A.在原有半导体材料上生长一层新的半导体B.去除表面氧化层C.改变材料的颜色D.提高芯片的散热性能

答案：A

9.干法刻蚀的优点不包括（）

A.高分辨率B.可实现高深宽比C.对环境无污染D.工艺简单

答案：D

10.半导体制造中，清洗工艺的目的是（）

A.去除表面杂质和污染物B.提高材料的导电性C.增强光刻胶的附着力D.降低芯片的功耗

答案：A

二、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体制造工艺中的主要步骤包括（）

A.光刻B.掺杂C.刻蚀D.沉积

答案：ABCD

2.光刻工艺中常用的光刻胶类型有（）

A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.化学增幅光刻胶D.电子束光刻胶

答案：ABC

3.离子注入工艺可以注入的杂质有（）

A.硼B.磷C.砷D.硅

答案：ABC

4.化学气相沉积可以生长的薄膜材料有（）

A.二氧化硅B.氮化硅C.多晶硅D.金属薄膜

答案：ABC

5.湿法刻蚀的特点包括（）

A.选择性好B.成本低C.对设备要求低D.可实现高深宽比

答案：ABC

6.退火工艺的类型有（）

A.快速热退火B.炉退火C.激光退火D.电子束退火

答案：ABC

7.光刻技术的发展趋势包括（）

A.更高分辨率B.更大尺寸晶圆C.更低成本D.更快速度

答案：ABCD

8.半导体制造中，外延生长的方法有（）

A.化学气相外延B.物理气相外延C.分子束外延D.离子束外延

答案：ABC

9.干法刻蚀的气体有（）

A.氟气B.氯气C.氧气D.氮气

答案：ABC

10.半导体制造中，清洗工艺常用的清洗液有（）

A.硫酸B.盐酸C.双氧水D.去离子水

答案：ABCD

三、判断题（总共4题，每题5分）

1.光刻工艺是半导体制造中最关键的工艺之一。（）

答案：√

2.离子注入工艺只能注入一种杂质。（）

答案：×

3.化学气相沉积生长的薄膜质量与工艺参数无关。（）

答案：×

4.湿法刻蚀比干法刻蚀更适合高精度的刻蚀要求。（）

答案：×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.半导体制造工艺中，光刻的分辨率主要取决于光刻设备的（）和光刻胶的（）。

答案：波长；分辨率

2.掺杂工艺中，常用的掺杂方法有（）和（）。

答案：离子注入；扩散

3.化学气相沉积中，根据反应类型可分为（）、（）和（）。

答案：热CVD；等离子体增强CVD；光CVD

4.湿法刻蚀的选择比定义为（）与（）的刻蚀速率之比。

答案：被刻蚀材料；掩膜材料

5.退火工艺可以消除（）和（）等晶格缺陷。

答案：空位；间隙原子

6.光刻工艺中，曝光的方式有（）和（）。

答案：接触式曝光；投影式曝光

7.半导体制造中，外延生长的衬底材料通常是（）。

答案：硅

8.干法刻蚀中，常用的刻蚀气体有（）、（）等。

答