微电子科学与工程的微纳电子器件设计与性能研究毕业论文答辩.pptxVIP

第一章绪论第二章微纳电子器件设计基础第三章CNT-FET器件建模与仿真第四章CNT-FET制备工艺研究第五章性能测试与优化第六章结论与展望1

01第一章绪论

绪论：研究背景与意义微电子科学与工程的发展历程可谓是一部人类智慧的结晶。从1958年杰克·基尔比发明了第一块集成电路，到2000年阿龙·切哈诺沃在斯坦福实验室实现了第一个单电子晶体管的突破，这一领域的每一次进步都离不开科学家的不懈探索。微纳电子器件在现代科技中的核心地位尤为显著，以苹果A14芯片为例，其制程工艺达到5nm，使得手机处理器的性能得到了质的飞跃。据国际数据公司（IDC）统计，2023年全球智能手机市场的出货量达到12.8亿台，其中近60%的设备采用了5nm及以下制程的芯片。因此，微纳电子器件的设计与性能研究不仅对国家科技竞争力至关重要，也对产业升级具有深远影响。中国集成电路产业的发展规划中明确提出，到2025年国内芯片自给率要达到40%，这一目标的实现离不开微纳电子器件技术的突破。本研究聚焦于碳纳米管场效应晶体管（CNT-FET）的设计与性能优化，旨在解决传统硅基器件在低功耗和高集成度方面的瓶颈，推动微电子科学与工程的进一步发展。3

研究内容概述CNT-FET器件设计研究CNT-FET的结构优化和性能提升通过仿真软件和实验平台验证设计探索CNT-FET的制备工艺和材料选择全面测试CNT-FET的性能并优化设计仿真与实验验证制备工艺研究性能测试与优化4

研究框架与章节安排研究框架章节安排器件结构设计仿真优化制备工艺性能测试绪论：研究背景与意义微纳电子器件设计基础CNT-FET器件建模与仿真CNT-FET制备工艺研究性能测试与优化结论与展望5

研究创新点双栅极CNT-FET结构通过仿真验证其漏电流抑制效果加速器件设计过程首次报道CNT-FET在极端温度下的稳定性通过参数调整实现能效比提升机器学习参数优化算法极端温度稳定性能效比优化6

02第二章微纳电子器件设计基础

微纳电子器件基本原理MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代微电子器件的核心，其工作原理基于栅极电场对沟道导电性的调控。以Intel7nm工艺的MOSFET为例，其阈值电压为0.35V，这意味着在栅极施加0.35V电压时，沟道开始导电。短沟道效应是MOSFET在微纳尺度下的一种重要现象，当沟道长度缩至10nm时，电流崩塌现象尤为明显。2005年，IEEE发布的一篇重要文章指出，沟道长度为10nm的MOSFET其电流下降可达50%。新型器件结构的研究也在不断深入，碳纳米管、石墨烯和二硫化钼等二维材料因其独特的电子特性受到广泛关注。例如，美国劳伦斯利弗莫尔实验室在2018年的一项研究中发现，二硫化钼的电子迁移率高达300cm2/Vs，远超传统硅基器件。这些研究成果为微纳电子器件的设计提供了新的思路和材料选择。8

器件设计流程设计输入关键设计参数的确定使用仿真软件进行性能验证通过参数调整优化设计通过实验平台验证设计仿真验证设计迭代实验验证9

关键设计指标亚阈值摆幅（SS）跨导（gm）功耗效率定义：亚阈值摆幅是衡量MOSFET开关性能的重要指标目标值：≤60mV/decade实测值：45mV/decade（Intel7nm工艺）定义：跨导是衡量MOSFET输出电流能力的重要指标目标值：≥200μS/μm实测值：240μS/μm（英飞凌2022年专利）定义：功耗效率是衡量MOSFET功耗性能的重要指标目标值：动态功耗降低65%实测值：动态功耗降低68%10

03第三章CNT-FET器件建模与仿真

CNT-FET结构设计碳纳米管场效应晶体管（CNT-FET）因其独特的电子特性，成为微纳电子器件研究的热点。CNT-FET的结构设计需要考虑多个因素，包括CNT的类型、器件的尺寸和材料的选择。单壁碳纳米管（SWCNT）和多壁碳纳米管（MWCNT）是两种常见的CNT类型，SWCNT具有更高的迁移率，而MWCNT具有更好的稳定性。在本研究中，我们选择SWCNT作为CNT-FET的材料，其直径控制在1.2nm，以确保器件的高性能。器件的结构设计包括双栅极设计，这种设计可以有效提高器件的开关性能和降低漏电流。栅极间距（Sg）和源漏电极宽度（Wsd）是关键的设计参数，我们通过仿真软件SentaurusTCAD进行优化，最终确定Sg=4nm和Wsd=50nm。衬底材料选择Si/SiO?（300nm），通过反应离子刻蚀（RIE）制备电极沟槽，沟槽深度控制在50nm。12

仿真模型建立有效质量近似（EMA）EMA在CNT能带结构中的应用耦合模型建立量子力学与经典电学的耦合模型参数化设置仿真软件的参数设置13

仿真结果分析I-V特性曲线亚阈值特性热稳定性ON态电流：5μA/μmOFF态电流：0.1nA/μ