部分耗尽SOI材料离子注入改性技术：原理、应用与挑战.docx

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2025-12-30 发布于上海
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部分耗尽SOI材料离子注入改性技术：原理、应用与挑战

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代集成电路领域，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统体硅材料在进一步提升器件性能和降低功耗方面面临着诸多挑战。绝缘体上硅（SOI,Silicon-On-Insulator）材料应运而生，成为推动集成电路技术持续发展的关键材料之一。SOI材料将一层薄薄的硅单晶置于绝缘层之上，与传统体硅CMOS技术相比，基于SOI材料构建的晶体管具备独特优势。其运算速度更快，这是因为绝缘层有效减少了寄生电容，加快了电子传输速度；同时，功耗更低，能够满足现代电子设备对能源效率的严苛要求。此外，SOI技术还显著增强